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LMG5200MOFR

Name: Texas Instruments LMG5200MOFR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG5200MOFR
Price: 12.62 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

595-LMG5200MOFR

N° de fab. :

LMG5200MOFR

Fab. :

Texas Instruments

Description :

Commandes de grilles 80V GaN Half Bridge Power Stage 9-QFM -4 A 595-LMG5200MOFT

Fiche technique:

LMG5200MOFR Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	12,62 €	12,62 €
	9,59 €	95,90 €
	9,19 €	229,75 €
	8,10 €	810,00 €
	7,71 €	1.927,50 €
	7,52 €	3.760,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	6,40 €	12.800,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	Commandes de grilles
RoHS:
Produit:	Half-Bridge Drivers
Type:	High-Side, Low-Side
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	QFM-9
Nombre de pilotes:	1 Driver
Nombre de sorties:	1 Output
Courant de sortie:	10 A
Tension d’alimentation - Min.:	4.75 V
Tension d’alimentation - Max.:	5.25 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Série:	LMG5200
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Sensibles à l’humidité:	Yes
Courant d'alimentation de fonctionnement:	3 mA
Type de produit:	Gate Drivers
Rds On - Résistance drain-source:	15 Ohms
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Nom commercial:	GaN
Poids de l''unité:	2,338 g

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LMG5200 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. C)

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CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Étage de puissance à demi-pont GaN 80 V LMG5200

L'étage de puissance à demi-pont GaN 80 V LMG5200 Texas Instruments fournit une solution d'étage de puissance intégrée à base de FET au nitrure de gallium (GaN) à enrichissement. Le dispositif est composé de deux FET GaN 80 V commandés par un pilote FET GaN haute fréquence en configuration demi-pont. Les FET GaN offrent des avantages significatifs pour la conversion de puissance, car ils ont une récupération inverse quasi nulle et très faible capacité d'entrée C_ISS. Tous les composants sont montés sur une plateforme-boîtier totalement sans fil et sans liaison avec un nombre minimal d'éléments parasites au boîtier. Les entrées compatibles logique TTL peuvent supporter des tensions d'entrée jusqu'à 12 V indépendamment de la tension V_CC. La technique exclusive de tension de blocage par amorçage garantit que les tensions de grille des FET GaN en mode enrichissement restent dans une plage de fonctionnement sûr.

Gallium Nitride (GaN)

Texas Instruments Gallium Nitride (GaN) solutions deliver high efficiency, power density, and reliability. The Texas Instruments GaN portfolio consists of controllers, drivers, and regulators that offer reduced power with end-to-end power conversion and 5MHz switching frequencies.