Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

GTRA362002FC-V1-R2

Name: MACOM GTRA362002FC-V1-R2
Brand: MACOM
SKU: 941-GTRA362002FCV1R2
Price: 140.99 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

941-GTRA362002FCV1R2

N° de fab. :

GTRA362002FC-V1-R2

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

Fiche technique:

GTRA362002FC-V1-R2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Notification d'expédition :

Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: Demander un devis de livraison

Entrez la quantité:

Minimum : 250 Multiples : 250

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
	140,99 €	35.247,50 €
500	Devis

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

GTRA362002FC-V1-R0

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

182,47 €

Min.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
Restrictions en matière d'expédition :	Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	H-37248C-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	125 V
Id - Courant continu de fuite:	4.1 A
Température de fonctionnement max.:	+ 225 C
Marque:	MACOM
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	US
Gain:	13.5 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	3.6 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	3.4 GHz
Alimentation en sortie:	200 W
Conditionnement:	Reel
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V to 2 V