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GTRA362002FC-V1-R0

Name: MACOM GTRA362002FC-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTRA362002FCV1R0
Price: 182.47 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

941-GTRA362002FCV1R0

N° de fab. :

GTRA362002FC-V1-R0

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

Fiche technique:

GTRA362002FC-V1-R0 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	182,47 €	182,47 €
	133,72 €	1.337,20 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 50)
	133,72 €	6.686,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
Restrictions en matière d'expédition :	Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	H-37248C-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	4.1 A
Température de fonctionnement max.:	+ 225 C
Marque:	MACOM
Gain:	13.5 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	3.6 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	3.4 GHz
Alimentation en sortie:	200 W
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V to 2 V

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PCN

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USHTS:: 8541290055
ECCN:: 3A001.b.3.a

JFET RF et FET LDMOS 5G

Les transistors à effet de champ de jonction (JFET) RF et les FET à semiconducteur à oxyde métallique à diffusion latérale (LDMOS) 5G de MACOM sont des transistors haute puissance thermiquement améliorés pour la prochaine génération de transmission sans fil. Ces dispositifs possèdent un GaN sur une Technologie de transistor à haute mobilité électronique (HEMT) SiC, une correspondance à l'entrée, une haute efficacité et un boîtier à montage en surface thermique amélioré avec une bride sans oreille. Les JFET MACOM 5 G RF et les FET LDMOS sont idéaux pour les applications d'amplificateur de puissance cellulaires multi-standard.