Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IPB180P04P4L02ATMA2

Name: Infineon IPB180P04P4L02ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB180P04P4L02A2
Price: 3.55 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IPB180P04P4L02A2

N° de fab. :

IPB180P04P4L02ATMA2

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

Fiche technique:

IPB180P04P4L02ATMA2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Infineon Technologies IPB180P04P4L02ATMA2

En stock: 548

Stock:: 548

Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 1.000

23/03/2026 attendu

2.000

02/07/2026 attendu
Délai usine :: 9

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	3,55 €	3,55 €
	2,34 €	23,40 €
	1,65 €	165,00 €
	1,50 €	750,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	1,39 €	1.390,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	180 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 16 V, 5 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.7 V
Qg - Charge de grille:	220 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	150 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	AT
Temps de descente:	119 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	28 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	146 ns
Délai d'activation standard:	32 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPB180P04P4L-02 SP002319828 IPB180P04P4L02ATMA1 SP000709460
Poids de l''unité:	1,600 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IPB180P04P4L02ATMA2 Fiche technique (PDF)

Product Catalogs

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

MOSFET automobiles OptiMOS®-P2

Les MOSFET automobiles OptiMOS®-P2 d'Infineon Technologies offrent une gamme complète de MOSFET de puissance automobile à canal P utilisant la technologie OptiMOS-P2 et Gen5. Les MOSFET automobiles sont homologués AEC et prennent en charge une température de fonctionnement de 175°°C. Les MOSFET automobiles OptiMOS-P2 d'Infineon sont disponibles en boîtiers DPAK, D2PAK, TO220, TO262 et SO8.