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FP10R12W1T7PB11BPSA1

Name: Infineon FP10R12W1T7PB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP10R12W1T7PB111
Price: 34.08 EUR
Availability: InStock

N° Mouser :

726-FP10R12W1T7PB111

N° de fab. :

FP10R12W1T7PB11BPSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Modules IGBT EASY

Fiche technique:

FP10R12W1T7PB11BPSA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	34,08 €	34,08 €
	26,30 €	263,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Modules IGBT
RoHS:
Produit:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	3-Phase Inverter
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.6 V
Courant collecteur continu de 25 C:	10 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	HU
Type de produit:	IGBT Modules
Série:	Trenchstop IGBT7
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Nom commercial:	EasyPIM
Raccourcis pour l'article N°:	FP10R12W1T7P_B11 SP005417641

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Modules IGBT PIM 1 200 V

Les modules IGBT PIM 1 200 V d'Infineon offrent la technologie de diode EC7 et IGBT7 TRENCHSTOP™ basée sur la toute dernière technologie de tranchée à micro-motifs. Cette technologie réduit fortement les pertes et offre un haut niveau de contrôle. Le concept de cellule est caractérisé par la mise en œuvre de cellules à tranchée parallèles séparées par des mesas de moins d'un micron, ce qui n'est pas le cas des cellules à tranchée carrées précédemment utilisées. La puce est spécialement optimisée pour les applications d'entraînement industriel et les systèmes d'énergie solaire, et se traduit par des pertes statiques beaucoup plus faibles, une densité de puissance plus élevée et une commutation plus douce. Une augmentation significative de la densité de puissance peut être obtenue en augmentant la température de fonctionnement maximale autorisée jusqu’à 175 °C dans les modules IGBT PIM 1 200 V d'Infineon.

Modules et composants discrets IGBT7 TRENCHSTOP™

Les modules et composants discrets IGBT7 TRENCHSTOP™ d'Infineon Technologies sont conçus pour les entraînements à vitesse variable. Vingt pour cent de l'énergie ou 17 millions de tonnes de CO₂ pourraient être économisés si seulement la moitié de tous les entraînements industriels disposaient d'un système électrique de régulation de la vitesse. Infineon facilite ce commutateur avec la technologie TRENCHSTOP IGBT7.

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Le module IGBT EasyPIM™ Infineon Technologies est un module IGBT PIM à redresseur d'entrée triphasée avec TRENCHSTOP™ IGBT7, diode 7 contrôlée par émetteur et technologie NTC/PressFIT. Ce module dispose d'une contrôlabilité dV/dt renforcée, d'une meilleure douceur FWD, de pertes de commutation optimisées, et d'une résistance de court-circuit de 8 µs. Le module EasyPIM (module d'alimentation intégré) est de très petite taille, ce qui permet d'atteindre une plus haute densité de puissance. Ce module réduit les pertes et le coût du système pour respecter les exigences d'efficacité énergétique. Ses applications typiques incluent les onduleurs auxiliaires, la climatisation, les servomoteurs et les applications de climatisation, chauffage et ventilation (CVC).