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BSL606SN H6327

Name: Infineon BSL606SN H6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSL606SNH6327
Price: 0.72 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-BSL606SNH6327

N° de fab. :

BSL606SN H6327

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET N-Ch 60V 4.5A TSOP-6

Fiche technique:

BSL606SN H6327 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,722 €	0,72 €
	0,445 €	4,45 €
	0,292 €	29,20 €
	0,23 €	115,00 €
	0,202 €	202,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,171 €	513,00 €
	0,157 €	942,00 €
	0,145 €	1.305,00 €
	0,138 €	3.312,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

BSL606SNH6327XTSA1

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,54 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSOP-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	4.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	69 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.8 V
Qg - Charge de grille:	3.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	3.1 ns
Transconductance directe - min.:	7.1 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3 ns
Série:	BSL606
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	18 ns
Délai d'activation standard:	6.8 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SP000691164 BSL606SNH6327XTSA1
Poids de l''unité:	112,430 mg

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Fiche technique

BSL606SN H6327 Fiche technique (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à signal faible

Les MOSFET de puissance à faible signal Infineon sont disponibles dans 7 types de boîtiers standard allant du plus large, le SOT-223, au plus petit, le SOT-363 qui mesure 2,1 mm x 2 mm x 0,9 mm. Ils sont disponibles en configuration simple, double ou complémentaire. Ils sont disponibles en version à canal N, à canal P ou complémentaire (canal P et canal N dans le même boîtier) pour répondre aux différents besoins de conception. Les applications habituelles de ces dispositifs comprennent la protection des batteries, l'éclairage à LED, les pilotes à faible tension et les convertisseurs CC/CC. Tous les MOSFET de puissance à signal faible sont qualifiés Automotive AEC Q101.
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