Wolfspeed HEMT au GaN

Les HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) au GaN (nitrure de gallium) Cree offrent une densité de puissance plus élevée et des bandes passantes plus larges en comparaison avec des transistors au silicium ou à l'arséniure de gallium. Le GaN offre des propriétés supérieures à celles du silicium ou de l'arséniure de gallium, incluant une tension de claquage plus élevée, une plus grande vitesse de saturation des électrons ainsi qu'une conductivité thermique plus élevée.

For design flexibility, the Wolfspeed GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

Caractéristiques

  • High efficiency
  • High gain
  • Wide bandwidth capabilities
  • High breakdown voltage
  • High saturated electron drift velocity
  • High thermal conductivity

Applications

  • 2-Way private radio
  • Broadband amplifiers
  • Cellular infrastructure
  • Test instrumentation
  • Class A and AB linear amplifiers suitable for OFDM, W-CDMA, EDGE, and CDMA waveforms
  • Satellite communications
  • PTP communications links
  • Marine radar
  • Pleasure craft radar
  • Port vessel traffic services
  • High-efficiency amplifiers

Comparison Chart

Graphique - Wolfspeed HEMT au GaN
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