Vishay / Siliconix MOSFET à canal N de gén. IV TrenchFET
Les MOSFET à canal N TrenchFET® gén. IV Vishay Siliconix sont la famille TrenchFET® de dernière génération de MOSFET de puissance canal N de Vishay. Ces nouveaux dispositifs utilisent une nouvelle conception à haute densité et les SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP et SiSA04DN procurent une faible résistance à l'état passant pouvant descendre à 1,35 mΩ à 4,5 V et une charge de grille totale réduite dans les boîtiers PowerPAK® SO-8 et 1212-8. Les caractéristiques comprennent une RDS(on) extrêmement basse, qui se traduit par des pertes par conduction moindres pour une consommation électrique réduite, un rapport Qdg/Qgs très bas de 0,5 ou moins, des boîtiers à encombrement réduit PowerPAK® 1212-8 avec une efficacité similaire dans une taille divisée par 3. Les applications standard comprennent les convertisseurs CC/CC à haute puissance, la rectification synchrone, les convertisseurs Buck synchrones et OU.
The TrenchFET MOSFETs are available in a broad range of power MOSFETs in a wide selection of advanced packages such as -200V to 800V breakdown voltages and 1.2V wide range of gate drive voltages. These MOSFETs are optimized with lowest Rds(on) for load switch applications and for lowest gate charge and capacitances for fast switching. The MOSFETs are differentiated with low voltage and medium voltage TrenchFETs.
The Low Voltage TrenchFET® feature high efficiency, increased power density, and come with space-saving packages. These are ideal for consumer electronics, drones, computers, and telecom equipment.
The Medium Voltage TrenchFET® feature compact and highly efficient devices that enable layout optimization, reduce component count, and enable the highest efficiency. These are ideal for power supplies, motor drive control, and renewable energy.
Vishay Siliconix SkyFET MOSFETs are also part of the Vishay Siliconix TrenchFET Gen IV Power MOSFETs offering.
Caractéristiques
- Next-generation technology optimizes several key specifications:
- DS(on)S=4.5V
- Down to ultra-low RDS(on) of 0.001Ω at VGS=10V
- Very low Qgd and exceptionally low Qgd/Qgs ratio:<0.5
- Qgd/Qgs ratio down to 0.3
- Improved immunity to CdV/dt gate coupling
