Vishay Semiconductors Redresseur hyper-rapide FRED Pt® G5 VS-E5PH6012LHN3

Le redresseur hyper-rapide VS-E5PH6012LHN3 FRED (Fast Recovery Epitaxial Diodes) Pt® G5 de Vishay Semiconductors se compose d'une combinaison unique à faibles pertes de conduction et de commutation, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs haute fréquence à commutation souple et résonante. Ce redresseur 60 A est spécialement conçu pour améliorer le rendement des étages de redressement PFC et de sortie des stations de chargement de batteries EV et HEV, de l'étage d'amplification des onduleurs solaires et des applications UPS.

Le redresseur hyper-rapide Pt G5 VS-E5PH6012LHN3 de Vishay Semiconductors est optimisé pour une grande rapidité de commutation, y compris dans les conditions extrêmes. Ce dispositif se caractérise par une tension inverse de 1 200 V, une faible perte de conduction, une faible perte de commutation et une température de jonction maximale de +175 °C pour une fiabilité améliorée. Ce redresseur est parfaitement adapté au fonctionnemment avec des composants MOSFET ou IGBT haut débit. Le redresseur est proposé en boîtier TO-247AD 2L.

Caractéristiques

  • Homologué AEC-Q101
  • Charge de reprise inverse hyper-rapide et optimisée
  • Meilleures performances en chute de tension directe et perte de commutation de sa catégorie
  • Optimisé pour le fonctionnement à haute vitesse
  • Température de jonction maximale en fonctionnement : +175°C
  • Passivation en polyimide
  • Conforme à l'essai de barbes JESD 201 classe 1A
  • Sans halogène et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Stations de chargement de batterie EV et HEV
  • Onduleurs solaires
  • ASI
  • Correction du facteur de puissance (CFP)

Caractéristiques techniques

  • Courant direct rectifié moyen : 60 A (IF(AV))
  • Tension inverse répétitive en crête (VRRM) : 1 200 V
  • Courant d'impulsion non répétitive en crête (IFSM) : 425 A
  • Charge de reprise inverse (Qrr) : 6 150 NC, TJ = +125 °C
  • Tension directe 1,7 V (VF), IF = 60 A, TJ= +125 °C
  • Courant direct répétitif en crête (IFRM) : 120 A
  • Capacité de jonction (CT) : 32 pF
  • Temps de reprise inverse (trr) : 38 ns
  • Plage de températures de jonction (TJ) : de -55 à +175 °C
  • Boîtier TO-247AD 2L

Désignations des broches et circuit interne

Vishay Semiconductors Redresseur hyper-rapide FRED Pt® G5 VS-E5PH6012LHN3
Publié le: 2021-03-24 | Mis à jour le: 2022-06-07