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Vishay Semiconductors Photodiodes à broche large VEMD

Les grandes photodiodes à broche PIN VEMD Vishay semiconducteurs incluent des options visibles, proche infrarouge, visible/proche infrarouge et des options visibles améliorées. Les dispositifs disposent d'une zone sensible radiante de 7,5 mm2 d'une photosensibilité élevée et d'une excellente linéarité de courant photoélectrique. Les grandes photodiodes à broche PIN VEMD Vishay sont homologuées AEC-Q101 pour les applications automobiles. Les photodiodes sont disponibles dans un boîtier de 5 mm x 4 mm x 0,9 mm.

Caractéristiques

  • Zone sensible radiante de 7,5 mm2
  • Low profile >>> profil mince de 0,9 mm
  • Temps de montée et de descente jusqu'à 5 ns
  • Photosensibilité élevée
  • Faible variance du courant de sortie d'une pièce à l'autre
  • Excellente linéarité de courant photoélectrique
  • Qualification AEC-Q101
  • Dimensions du boîtier : 5 mm x 4 mm x 0,9 mm

Applications

  • Wearables
    • Bandes de fitness
    • Montres connectées
  • Applications médicales
    • Pulsoxymétrie
    • Analyse de sang
  • Automobile
    • Capteur de pluie/lumière/tunnel
    • Capteur solaire

Caractéristiques techniques

  • Angle de demi-sensibilité de ±65 °
  • Longueurs d'onde de pointe de 820 nm, 940 nm ou 950 nm
  • Courant de sortie de 26 uA, 45 uA ou 48 uA
Infographie - Vishay Semiconductors Photodiodes à broche large VEMD

Ressource

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Numéro de pièce Fiche technique Description Longueur de l'onde de pointe
VEMD5080X01 VEMD5080X01 Fiche technique Photodiodes Top view 350-1100nm +/-65 deg 950 nm
VEMD5010X01 VEMD5010X01 Fiche technique Photodiodes Top view 430-1100nm +/-65 deg 940 nm
VEMD5060X01 VEMD5060X01 Fiche technique Photodiodes Top view 350-1070nm +/-65 deg 820 nm
VEMD5110X01 VEMD5110X01 Fiche technique Photodiodes Top view 790-1050nm +/-65 deg 940 nm
VEMD5160X01 VEMD5160X01 Fiche technique Photodiodes Top view 700-1070nm +/-65 deg 840 nm
Publié le: 2025-02-17 | Mis à jour le: 2025-03-04