Barrière de Schottky MOS à tranchée TMBS de Vishay Semiconductors
Les redresseurs à barrière de Schottky et tranchée MOS TMBS® Vishay Semiconductors en boîtier SMPA proposent des valeurs de courant nominal entre 3 et 8 A dans un boîtier à montage en surface à profil extra plat dont la hauteur standard est de 0,95 mm. Ils disposent d'une faible chute en tension directe de 0,37 V à 3 A, ce qui réduit les pertes d'énergie et augmente le rendement. Les composants à 45 V en boîtier SMPA sont qualifiés AEC-Q101 pour les applications automobiles, tandis que les redresseurs 50 V sont idéaux pour les chargeurs de tablettes et de smartphones. Le boîtier SMPD est proposé pour les composants entre 45 V et 120 V, avec un courant nominal entre 10 A et 60 A. Il offre une faible chute en tension directe pouvant descendre à 0,40 V à 15 A. Il dispose d'une empreinte compatible avec le D2PAK (TO-263), mais avec une hauteur standard plus petite de 1,7 mm.
