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Vishay / Siliconix MOSFET automobiles SQJ

Les MOSFET ® automobiles SQJ Vishay/Siliconix sont des MOSFET de puissance 40 VDS à canal N TrenchFET Gen IV. Ces MOSFET homologués AEC-Q101 sont testés à 100% Rg et commutation inductive non limitée (UIS) avec un rapport Qgd/Qgs de moins de 1 qui optimise les caractéristiques de commutation. Les MOSFET automobiles SQJ offrent une très faible RDS(on) et fonctionnent dans une plage de température comprise entre -55°C et 175°C.Ces MOSFET de classe automobile sont disponibles en boîtier PowerPAK® SO-8L avec des configurations simples/doubles.   Les applications standard incluent l'automobile, la gestion des moteurs, les entraînements et actionneurs de moteurs et la gestion des batteries.

Caractéristiques

  • TrenchFET® Gen IV puissance MOSFET
  • Qualifié AEC-Q101
  • 100 % testé à Rg et UIS
  • Le rapport Qgd/Qgs <1 optimise les caractéristiques de commutation
  • Température de jonction en fonctionnement et de stockage -55 °C à +175 °C 
  • Disponible en boîtier PowerPAK® SO-8L avec configurations simples/doubles  

Applications

  • Automobile
  • Gestion de batteries
  • Gestion du moteur
  • Entraînements et commandes de moteur

MOSFET associés

Vishay / Siliconix MOSFET 100 V à canal P automatique SQJ211ELP

Dispose d'un courant drain-source de -100 VDS dans un boîtier PowerPAK® SO-8L avec des fils de papillon.

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Vishay / Siliconix MOSFET automobiles SQJA

MOSFET de puissance TrenchFET® homologués AEC-Q101 disponibles avec canal N ou canal P.

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Vishay / Siliconix MOSFET à canal N de gén. IV TrenchFET

Procure une faible résistance à l'état passant pouvant descendre à 1,35 mΩ à 4,5 V.

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Composants pour SMPS, conditionnement du signal d'entrée, étage de puissance et fonctions de communication du véhicule.

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Numéro de pièce Fiche technique Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Qg - Charge de grille
SQJ185ELP-T1_GE3 SQJ185ELP-T1_GE3 Fiche technique 1 Channel 80 V 62 A 19.5 mOhms 46 nC
SQJ128ELP-T1_GE3 SQJ128ELP-T1_GE3 Fiche technique 1 Channel 30 V 437 A 1.158 mOhms 99 nC
SQJ140ELP-T1_GE3 SQJ140ELP-T1_GE3 Fiche technique 1 Channel 40 V 253 A 2.14 mOhms 58 nC
SQJ131ELP-T1_GE3 SQJ131ELP-T1_GE3 Fiche technique 1 Channel 30 V 300 A 3 mOhms 207 nC
SQJ443AEP-T1_GE3 SQJ443AEP-T1_GE3 Fiche technique 1 Channel 40 V 40 A 8.1 mOhms 38 nC
SQJ170ELP-T1_GE3 SQJ170ELP-T1_GE3 Fiche technique 1 Channel 60 V 63 A 16.3 mOhms 12 nC
SQJ186EP-T1_GE3 SQJ186EP-T1_GE3 Fiche technique 1 Channel 80 V 60 A 15 mOhms 24 nC
SQJ444EP-T1_GE3 SQJ444EP-T1_GE3 Fiche technique 1 Channel 40 V 60 A 2.6 mOhms 80 nC
SQJ500AEP-T1_BE3 SQJ500AEP-T1_BE3 Fiche technique 2 Channel 40 V 30 A 9.2 mOhms, 27 mOhms 25.5 nC, 30.2 nC
SQJ500AEP-T1_GE3 SQJ500AEP-T1_GE3 Fiche technique 2 Channel 40 V 30 A 7.7 mOhms, 22 mOhms 38.3 nC, 45 nC
Publié le: 2020-10-05 | Mis à jour le: 2024-12-13