Vishay MOSFET 40 V à canal N double (D-S) SiZ240DT
Le MOSFET 40 V à canal N double (D-S) SiZ240DT de Vishay dispose de la technologie MOSFET de puissance TrenchFET® Gén IV, avec des MOSFET côté haut et côté bas intégrés dans un boîtier PowerPAIR® compact de 3,3 mm2. Le SiZ240DT offre la meilleure résistance à l'état passant et le meilleur rapport entre la résistance à l'état passant et la charge de grille, un facteur de mérite (FOM) essentiel pour les MOSFET utilisés dans les applications de conversion de puissance.
Les deux MOSFET TrenchFET du SiZ240DT sont connectés en interne dans une configuration en demi-pont. Le MOSFET canal 1 du SiZ240DT, qui est généralement utilisé comme commutateur de contrôle dans un convertisseur Buck synchrone, fournit une résistance à l'état passant maximale de 8,05 mΩ à 10 V et 12,25 mΩ à 4,5 V. Le MOSFET canal 2, qui est généralement un commutateur synchrone, dispose d'une résistance à l'état passant de 8,41 mΩ à 10 V et 13,30 mΩ à 4,5 V. Lorsqu'ils sont combinés avec une faible charge de grille de 6,9 nC (canal 1) et 6,5 nC (canal 2), le FOM de charge de grille de temps de résistance à l'état passant résultant permet une haute efficacité pour les applications à commutation rapide.
Le SiZ240DT dispose d'une construction interne sans fil qui minimise l'inductance parasite pour permettre une commutation à haute fréquence et réduit ainsi la taille des composants magnétiques et des conceptions finales. Son rapport de charge grille-drain (Qgd)/charge grille-source (Qgs) optimisé réduit le bruit pour améliorer encore les caractéristiques de commutation du composant. Le SiZ240DT est testé à 100 % pour Rg et UIS, conforme à la directive RoHS et sans halogène.
Caractéristiques
- TrenchFET Gen IV de puissance MOSFETs
- Étage de puissance demi-pont MOSFET intégré
- 100% testés Rg et UIS
- Le rapport Qgd/Qgs optimisé améliore les caractéristiques de commutation
- Tension drain-source de 40 V/40 V
- Tension grille-source de +20 V/-16 V
- Charge de grille de 6,9 nC/6,5 nC à 4,5 V
- Résistance à l'état passant de 12,25 mΩ/13,30 mΩ à 4,5 V
- Courant de drain continu de 27 A/27 A à TC = 25 °C
- Courant de drain pulsé 100 A/100 A (largeur d'impulsion 100 μs)
- Puissance dissipable admissible de 4,3 W à TC = 25 °C
- Plage de température de jonction et de stockage : de -55 °C à +150 °C
- Boîtier 3 x 3S PowerPAIR de 3,3 mm x 3,3 mm
- Conforme à la directive RoHS, sans plomb et sans halogène
Applications
- Convertisseurs Buck synchrones
- Télécommunications CC-CC
- Régulation de puissance au point de charge
- Commande de moteurs
Désignations et schéma des broches
Profil de boîtier
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