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MOSFET N voies double SiA936EDJ Vishay Siliconix

Le MOSFET N voies double SiA936EDJ de Vishay Siliconix est conçu pour économiser de l'espace et optimiser la consommation d'énergie dans les systèmes électroniques portables, grâce à la plus faible résistance en fonctionnement de l'industrie pour les systèmes de 20 V (V_GS de 12 V et V_GS de 8 V) à 4,5 V et les pilotes de grille de 2,5 V dans un boîtier de 2 mm sur 2 mm. Le SiA936EDJ est optimisé pour les commutateurs de charge et de chargeurs, les convertisseurs CC/CC, les ponts en H et la protection des batteries destinés à la gestion de l'alimentation dans les smartphones, les tablettes, les ordinateurs mobiles, les produits médicaux portables non-implantables et les produits électroniques grand public portatifs dotés de petits moteurs CC brushless. Pour ces applications, le SiA936EDJ présente une résistance en fonctionnement extrêmement faible de 34 mΩ (4,5 V), 37 mΩ (3,7 V) et 45 mΩ (2,5 V), ainsi qu'une protection ESD intégrée de 2 000 V. Sa résistance en fonctionnement à 2,5 V est inférieure de 11,7 % à celle du système concurrent le plus proche avec une V_GS de 8 V (tout en fournissant une bande de protection (G-S) supérieure) et inférieure de 15,1 % à celle du dispositif concurrent le plus proche avec une V_GS de 12 V. La faible résistance en fonctionnement du dispositif, l'une des plus faibles du marché, permet aux concepteurs d'obtenir des chutes de tension plus faibles dans leurs circuits, d'optimiser la consommation d'énergie et de disposer de durées de fonctionnement plus longues pour les batteries. En intégrant deux MOSFET dans un boîtier compact, le SiA936EDJ double simplifie les conceptions, réduit le nombre total de composants et permet un gain d'espace critique sur le CI. Le MOSFET N voies double SiA936EDJ Vishay Siliconix est certifié 100 % Rg, sans halogène, selon la définition de la norme JEDEC JS709A et conforme à la directive RoHS 2011/65/UE.