Toshiba MOSFET de puissance automobiles homologués AEC-Q101
Les MOSFET de puissance homologués AEC-Q101 automobiles de Toshiba sont une gamme étendue de MOSFET de puissance pour couvrir diverses applications automobiles dans les systèmes de batterie de 12 V à 48 V. Toshiba fait partie du secteur automobile discret depuis les années 60, en commençant par les redresseurs puis les MOSFET automobiles à partir des années 90. Avec leurs performances et leur fiabilité, tous les produits automobiles de Toshiba vont au-delà des normes AEC-Q101.’
Des fréquences de commutation plus élevées associées à une puissance plus élevée nécessitent des dispositifs qui ont des résistances à l'état passant plus faibles. Cependant, cela garantit des vitesses de commutation rapides sans compromettre les niveaux de bruit EMI. Toshiba a développé des processus de tranche de pointe pour supprimer le bruit de commutation, améliorant encore la conception du produit.
En combinant les derniers processus de tranche avec les technologies de boîtier à faible résistance, de faibles niveaux de résistance à l'état passant de l'industrie sont atteints. Toshiba utilise des connecteurs en cuivre dans ses MOSFET, fournissant une résistance de boîtier et une inductance extrêmement faibles. Cette faible résistance contribue à réduire la perte d'énergie et à la miniaturisation des applications.
L'introduction d'un boîtier à flanc mouillable permet une meilleure inspection optique automatisée (AOI) tout en prenant en charge la mèche de brasage. De telles améliorations aident à garantir que la puce dure dans une variété de conditions de fiabilité extrême.
Caractéristiques
- Faible résistance à l'état passant
- RDS(ON) =0,74 mΩ (max) à VGS = 10 V (TKR74F04PB avec boîtier WARP-TO-220SM(W) 40 V)
- RDS(ON) = 3,3 mΩ (max) à VGS = 10 V (TK90S06N1L avec boîtier DPAK+ 60 V)
- RDS(ON) = 2,4 mΩ (max) à VGS = 10 V (TK160F10N1L avec boîtier WARP-TO-220SM(W) 100 V)
- MOSFET à canal P et canal N 40 V, 60 V, 100 V pour les applications automobiles utilisant le petit boîtier à montage en surface
- Homologués AEC-Q101
- Options de boîtier SOP Advance (WF), TSON Advance (WF) et DSOP Advance (WF) avec structure de borne à flanc mouillable
Applications
- Équipements automobiles
- Alimentation (convertisseur CC-CC) et phares LED, etc. (entraînements à moteur, régulateurs de commutation et commutateurs de charge)
Produits associés
Toshiba MOSFET U-MOSVIII-H automobiles XPN12006NC
MOSFET de puissance à canal N au silicium qui est homologué AEC-Q101 dans un boîtier TSON compact et fin.
Schémas de principe
