Texas Instruments Module d'évaluation (EVM) de pilote UCC27614EVM
Le module d'évaluation (EVM) de pilote UCC27614EVM de Texas Instruments est conçu pour évaluer l'UCC27614, un pilote de grille monocanal deux × deux 30 V et 10 A. Ce module d'évaluation vise à évaluer le CI pilote par rapport aux paramètres de la fiche technique. Le CI pilote peut être évalué par rapport à diverses charges capacitives et résistives. Le module d'évaluation peut être configuré en configuration inverseuse ou non inverseuse. L'UCC27614EVM de Texas Instruments dispose de dispositions pour évaluer les transistors de puissance avec des empreintes TO-220.
Caractéristiques
- Le module d'évaluation est destiné aux caractéristiques basse tension du pilote de grille UCC27614DSG
- Plage d'alimentation de 4,5 V à 26 V VCC
- Courant de dissipation 10 A, source 10 A pour l'UCC27614EVM
- Capacité de tension d'entrée de -10 V
- Entrées compatibles TTL
- Disponible en boîtier SON-8 de 2 mm x 2 mm
- Disposition PCB optimisée pour la sélection de condensateur de contournement d'alimentation de polarisation et de résistance de pilote de grille
- Charge capacitive, résistance de commande de grille externe et encombrement TO-220 pour l'évaluation du réseau de pilote de grille MOSFET à canal N
- Configurations inverseuses ou non inverseuses
- Les points de test permettent de tester toutes les broches clés de l'UCC27614DSG
Équipement nécessaire
- Alimentation
- Alimentation CC avec tension et courant supérieurs à 26 V et 1 A (par exemple, Agilent E3634A)
- Générateur de fonctions
- Générateur de fonctions à deux canaux sur 10 MHz (par exemple, l'AFG3252 Tektronics)
- DMM
- DMM avec tension et courant supérieurs à 30 V et 1 A (par exemple, Fluke 187)
- Oscilloscope
- Oscilloscope à quatre canaux avec une bande passante de 500 MHz ou plus (par exemple DPO 7054)
Configuration du test
Produits associés
Texas Instruments Commandes de grilles à canal unique UCC27614/UCC27614-Q1
Les commandes de grilles de côté bas et à haute vitesse peuvent piloter des commutateurs de puissance à MOSFET, à IGBT, à SiC et à GaN.
Publié le: 2022-04-11
| Mis à jour le: 2022-04-21