ROHM Semiconductor MOSFET RD3U041AAFRA de puissance 4 A 250 V à canal N

Le MOSFET de puissance 4 A 250 V canal N RD3U041AAFRA de ROHM Semiconductor dispose d’une faible résistance en marche et d’une commutation rapide. Avec des circuits d'entraînement simples et une tension drain-source de 250 V, le RD3U041AAFRA est adapté aux applications de commutation. Le MOSFET de puissance 250 V 4 A à canal N RD3U041AAFRA de ROHM est un MOSFET de qualité automobile, qui est homologué AEC-Q101.