ROHM Semiconductor Diodes à barrière de Schottky de haute fiabilité RBQxx45ATL
Les diodes à barrière de Schottky RBQxx45ATL de ROHM Semiconductor sont des diodes à faible VF, faible IR et haute résistance aux DES, logées dans des boîtiers TO-263S (D2PAK) ou TO-252 (DPAK). Ces diodes à barrière de Schottky sont des composants de type double à cathode commune fabriqués à partir d’une construction planaire épitaxiale en silicium. Les diodes RBQxx45ATL de ROHM Semiconductor fournissent une haute fiabilité et sont adaptées aux téléphones et à divers appareils électroniques portables, aux alimentations de commutation et au redressement général.
Caractéristiques
- Cathode de type double commun
- Faible IR et faible VF
- Haute résistance aux DES
- Haute fiabilité
- Alimentation de type moulée TO-263S (D2PAK) ou TO-252 (DPAK)
- Construction planaire épitaxiale en silicium
Applications
- Sources d’alimentation à commutation
- Redressement général
- Téléphones et divers appareils électroniques portables
Tableau du courant et de la tension
Ressources supplémentaires
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Fabriquées à partir d’une construction planaire épitaxiale en silicium et offrent un faible IR et une haute fiabilité.
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Diodes à cathode commune à faible IR, haute fiabilité et structure planaire épitaxiale en silicium.
Publié le: 2020-12-09
| Mis à jour le: 2024-10-31