Qorvo Amplificateur de puissance 100 W au GaN pour bande C QPA2309
L'amplificateur de puissance 100 W au nitrure de gallium (GaN) pour bande C QPA2309 de Qorvo fonctionne entre 5 GHz et 6 GHz et fournit un haut rendement en puissance ajoutée (PAE) de 52 %. Ce composant se caractérise par sa tension de drain de 50 V, son courant de drain au repos de 600 mA et fournit un gain en puissance pouvant atteindre 22 dB. Le QPA2309 est adapté en impédance en interne et ne nécessite donc aucun composant RF externe supplémentaire, permettant aux concepteurs et aux intégrateurs de systèmes de réduire la taille et le poids de leur conception tout en offrant de meilleures performances.
Le QPA2309 est construit avec le procédé de traitement de tranche de semi-conducteur breveté QGaN25HV de Qorvo, et proposé en boîtier QFN compact de 7,0 mm x 7,0 mm. Ce boîtier CMS permet aux concepteurs de réduire le coût de fabrication des cartes par rapport aux alternatives consistant à concevoir un système sur puce ou à opter pour un boîtier à visser sur un support métallique.
Caractéristiques
- Plage de fréquence : 5 GHz à 6 GHz (bande C)
- Rendement en puissance ajoutée (PAE) : 52 %
- Puissance de sortie de 100 W au point de saturation (PSAT)
- Gain de puissance : 22 dB
- Tension de drain : 50 V (Vd)
- Courant de drain au repos : 600 mA (IDQ)
- Boîtier QFN24 de 7,0 mm x 7,0 mm x 0,82 mm
- Sans halogène, sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- Guerre électronique
- Radar
Communiqués de presse
Outils de développement
Qorvo Carte d'évaluation QPA2309EVB
Plateforme de démonstration et de développement pour l'amplificateur de puissance 100 W en bande C au nitrure de gallium (GaN) QPA2309.
Produits associés
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Amplificateur pour bande C (5 GHz à 6 GHz) de 50 W fournissant un gain de puissance de 23 dB avec un rendement en puissance ajoutée de 53 %.
Publié le: 2021-04-22
| Mis à jour le: 2022-03-11