Qorvo Amplificateur de puissance au GaN pour bande Ka QPA2212D
L’amplificateur de puissance au GaN en bande Ka QPA2212D de Qorvo est fabriqué à l’aide d’un procédé au nitrure de gallium à 0,15 µm sur carbure de silicium (GaN sur SiC). Fonctionnant entre 27 GHz et 31 GHz, le QPA2212D atteint une puissance linéaire de 10 W avec une distorsion d’intermodulation de -25dBc et un gain de signal faible de 22 dB. La puissance de sortie saturée est de 25 W avec un rendement de puissance ajoutée de 25 %.
Pour simplifier l’intégration du système, le QPA2212D est entièrement adapté à 50 Ω avec des condensateurs de blocage CC intégrés sur les deux ports d’E/S. Le QPA2212D de Qorvo est testé à 100 % au niveau de la tranche de semiconducteur, tant en CC qu'en RF, pour garantir sa conformité aux normes électriques. Ce composant comprend une puce nue compacte de 3,630 mm x 5,040 mm x 0,050 mm, il est sans plomb et conforme à la directive RoHS.
Caractéristiques
- Gamme de fréquences de 27 GHz à 31 GHz
- Puissance de sortie de 44 dBm standard à 29 GHz
- Rendement à puissance ajoutée de 25 % standard à 29 GHz
- Gain de signal faible de 22,7 dB standard à 29 GHz
- Perte par réflexion à l'entrée de 17 dB standard à 29 GHz
- Affaiblissement d'équilibrage de sortie de 14 dB standard à 29 GHz
- Dissipation d'énergie de 80,3 W à +85 °C
- Tension de drain 29,5 V
- Plage de tension de grille : de -5 V à 0 V
- Température de fonctionnement : de -40 °C à +85 °C
- Puce nue de 3,630 mm x 5,040 mm x 0,050 mm
- Sans plomb, sans halogène, conforme à la directive RoHS
Applications
- Infrastructure 5G
- Communications satellitaires
Schéma fonctionnel
Outils de développement
Qorvo Carte d'évaluation QPA2212D
Plateforme de démonstration et de développement pour l'amplificateur de puissance en bande Ka QPA2212D.
Amplificateurs associés
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Qorvo GaN Power Amplifiers
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