onsemi MOSFET de puissance NVMFS6H824NLT1G et NVTFS6H888NLTAG
Les MOSFET de puissance automobiles NVMFS6H824NLT1G et NVTFS6H888NLTAG d'Onsemi sont homologués AEC-Q101 et se présentent sous la forme d'un boîtier DFN5 plat à faible empreinte pour des conceptions compactes. Ces dispositifs d'Onsemi offrent une QG et une capacité faibles pour minimiser les pertes de pilote et une faible RDS(on) pour réduire les pertes en conduction. Les options de flancs mouillables (NVMFS6H824NLWF et NVTFS6H888NLWF dans un boîtier WDFN8) permettent une inspection optique améliorée. Les applications typiques comprennent les alimentations de commutation, le contrôle de moteur, les commutateurs d'alimentation (pilotes côté haut/côté bas et ponts en H), les systèmes 48 V, les convertisseurs CC/CC et les commutateurs de charge.
Caractéristiques
- Empreinte de 3,3 mm x 3,3 mm pour une conception compacte.
- RDS(on) faible pour limiter les pertes en conduction
- QG et capacité faibles pour limiter les pertes de pilote
- Produits à flancs mouillables disponibles (NVMFS6H824NLWF et NVTFS6H888NLWF)
- Homologué AEC-Q101 et compatible PHPP
- Sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- Alimentations de commutation
- Commutateurs d'alimentation (pilote côté haut, pilote côté bas, ponts en H, etc.)
- Systèmes 48 V
- Commande de moteur
- Commutateur de charge
- Convertisseur CC/CC
MOSFET associés
onsemi MOSFET Trench8
Les MOSFET se caractérisent par une faible RDS(ON), une Qg ultra-faible et une faible Qg x RDS(ON), un facteur de mérite (FOM) essentiel.
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Description |
|---|---|---|
| NVMFS6H824NLT1G |  |
MOSFET T8 80V LL SO8FL |
| NVMFS6H824NLWFT1G | |
MOSFET T8 80V LL SO8FL |
| NVTFS6H888NLTAG | |
MOSFET T8 80V LL U8FL |
| NVTFS6H888NLWFTAG | |
MOSFET T8 80V LL U8FL |
Publié le: 2020-08-05
| Mis à jour le: 2024-06-05