onsemi MOSFET PowerTrench® NTTFSxD1N0xHL à canal N

Les MOSFET PowerTrench® NTTFSxD1N0xHL à canal N d'Onsemi utilisent une technologie MOSFET à grille blindée haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible. Ces MOSFET à canal unique d'onsemi offrent des bruits de commutation/EMI faibles et une conception de boîtier robuste MSL1 testée à 100 % UIL. Les MOSFET NTTFSxD1N0xHL sont disponibles dans un boîtier WDFN8 sans plomb, sans halogène/sans BFR et conforme à la directive RoHS. Les applications typiques comprennent les convertisseurs Buck CC-CC, le point de charge, le commutateur de charge à haute efficacité et la commutation côté bas, les FET à joint torique, les alimentations CC-CC et les convertisseurs Buck synchrones MV.

Caractéristiques

  • Technologie MOSFET à grille blindée haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible
  • Faibles pertes de conduction et pertes de commutation
  • Conception de boîtier robuste MSL1
  • Testé à 100 % UIL
  • Sans plomb, sans halogène/sans RFB et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Convertisseurs Buck CC-CC et alimentations électriques CC-CC
  • FET à joint torique et point de charge
  • Commutateur de charge à haute efficacité et commutation côté bas
  • Convertisseurs Buck synchrone MV

Caractéristiques techniques

  • NTTFS2D1N04HL
    • RDS(on) maximum de 2,1 mΩ à VGS de 10 V, ID de 23 A
    • RDS(on) maximum de 3,3 mΩ à VGS de 4,5 V, ID de 18 A
  • NTTFS3D7N06HL
    • RDS(on) maximum de 3,9 mΩ à VGS de 10 V, ID de 233 A
    • RDS(on) maximum de 5,2 mΩ à VGS de 4,5 V, ID de 18 A
  • NTTFS5D9N08H
    • RDS(on) maximum de 5,9 mΩ à VGS de 10 V, ID de 23 A
    • RDS(on) maximum de 9 mΩ à VGS de 6 V, ID de 12 A
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Numéro de pièce Fiche technique Description
NTTFS3D7N06HLTWG NTTFS3D7N06HLTWG Fiche technique MOSFET T8 60V DFN POWER CLIP 3X3
NTTFS2D1N04HLTWG NTTFS2D1N04HLTWG Fiche technique MOSFET T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3
NTTFS5D9N08HTWG NTTFS5D9N08HTWG Fiche technique MOSFET T8 80V DFN POWER CLIP 3X3
Publié le: 2020-08-06 | Mis à jour le: 2024-06-05