onsemi MOSFET PowerTrench® NTTFSxD1N0xHL à canal N
Les MOSFET PowerTrench® NTTFSxD1N0xHL à canal N d'Onsemi utilisent une technologie MOSFET à grille blindée haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible. Ces MOSFET à canal unique d'onsemi offrent des bruits de commutation/EMI faibles et une conception de boîtier robuste MSL1 testée à 100 % UIL. Les MOSFET NTTFSxD1N0xHL sont disponibles dans un boîtier WDFN8 sans plomb, sans halogène/sans BFR et conforme à la directive RoHS. Les applications typiques comprennent les convertisseurs Buck CC-CC, le point de charge, le commutateur de charge à haute efficacité et la commutation côté bas, les FET à joint torique, les alimentations CC-CC et les convertisseurs Buck synchrones MV.Caractéristiques
- Technologie MOSFET à grille blindée haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible
- Faibles pertes de conduction et pertes de commutation
- Conception de boîtier robuste MSL1
- Testé à 100 % UIL
- Sans plomb, sans halogène/sans RFB et conforme à la directive RoHS
Applications
- Convertisseurs Buck CC-CC et alimentations électriques CC-CC
- FET à joint torique et point de charge
- Commutateur de charge à haute efficacité et commutation côté bas
- Convertisseurs Buck synchrone MV
Caractéristiques techniques
- NTTFS2D1N04HL
- RDS(on) maximum de 2,1 mΩ à VGS de 10 V, ID de 23 A
- RDS(on) maximum de 3,3 mΩ à VGS de 4,5 V, ID de 18 A
- NTTFS3D7N06HL
- RDS(on) maximum de 3,9 mΩ à VGS de 10 V, ID de 233 A
- RDS(on) maximum de 5,2 mΩ à VGS de 4,5 V, ID de 18 A
- NTTFS5D9N08H
- RDS(on) maximum de 5,9 mΩ à VGS de 10 V, ID de 23 A
- RDS(on) maximum de 9 mΩ à VGS de 6 V, ID de 12 A
View Results ( 3 ) Page
| Numéro de pièce | Fiche technique | Description |
|---|---|---|
| NTTFS3D7N06HLTWG | ![]() |
MOSFET T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 |
| NTTFS2D1N04HLTWG | ![]() |
MOSFET T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3 |
| NTTFS5D9N08HTWG | ![]() |
MOSFET T8 80V DFN POWER CLIP 3X3 |
Publié le: 2020-08-06
| Mis à jour le: 2024-06-05

