onsemi Diodes au carbure de silicium (SiC) NDSH20120C

Les diodes au carbure de silicium (SiC) onsemi NDSH20120C ont des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles des diodes au silicium simple. La diode onsemi NDSH20120C n'a aucun courant de récupération inverse, présente des caractéristiques de commutation indépendantes de la température et d'excellentes performances thermiques. Le système bénéficie d'un rendement élevé, d'une fréquence de fonctionnement rapide, d'une densité de puissance accrue, d'une réduction des EMI et de la taille et du coût du système.