onsemi IGBT FGY140T120SWD discret rapide 140 A 1200 V
L’IGBT discret rapide FGY140T120SWD 1200 V 140 A d’Onsemi est équipé d’une technologie IGBT 7th-generation avancée. Le FGY140T120SWD onBLUETOOTH est logé dans un boîtier TO247 3-lead. Ce composant offre un haut rendement dans les applications solaires, ASI et ESS avec des pertes de commutation et de conduction minimales.
Caractéristiques
- Maximum de température de jonction TJ = 175 °C
- Coéfficient de température positif pour un fonctionnement en parallèle facile
- Capacité de courant fort
- Commutation optimisée et fluide
- Faible perte en commutation
- Conforme RoHS
Applications
- Boost et inverseur dans le système solaire
- ASI
- Système de stockage d'énergie
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Publié le: 2023-11-08
| Mis à jour le: 2024-05-29