onsemi Diodes EliteSiC D1
Les diodes EliteSiC D1 onsemi sont une solution polyvalente et haute performance conçue pour les applications électroniques de puissance modernes. Le D1 d'onsemi dispose d'une tension nominale de 650 V, 1 200 V et 1 700 V. Ces diodes offrent la flexibilité nécessaire pour répondre à diverses exigences de conception. Proposées dans différents boîtiers, tels que D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2 et TO-247-3, les diodes EliteSiC D1 fournissent aux concepteurs des options pour optimiser l'espace sur la carte et les performances thermiques.
Caractéristiques
- Tensions 650 V, 1 200 V et 1 700 V
- Boîtiers D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2, TO-247-3
- Large taille de puce avec une faible résistance thermique (Rth)
- Optimisé pour un courant de surtension direct non répétitif élevé (IFSM)
- Applications d'étages d'entrée de redresseur de Vienne
D1 Sélecteur de diodes D1 EliteSiC Onsemi
onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes
Provides superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices.
onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes
Provides superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices.
onsemi Diodes EliteSiC (carbure de silicium) 1 700 V
Assurent des performances de commutation plus optimales et une meilleure fiabilité que les diodes en silicium.
onsemi Diodes au carbure de silicium (SiC) FFSH10120A-F155
Offrent des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles du silicium.
En savoir plus sur EliteSiC
onsemi EliteSiC
Répond aux besoins d'applications exigeantes telles que les convertisseurs solaires et les chargeurs de véhicules électriques.
Publié le: 2023-04-04
| Mis à jour le: 2024-08-29