onsemi MOSFET SiC à canal N NTHL080N120SC1A
Le MOSFET à canal N NTHL080N120SC1A d'Onsemi offre des performances de commutation supérieures et une plus grande fiabilité que le silicium. Ce MOSFET dispose d'une faible résistance à passante et d'une taille de puce compacte qui garantit une capacité et une charge de grille faibles. Le MOSFET NTHL080N120SC1A d'Onsemi est caractérisé par une haute efficacité, une fréquence de fonctionnement rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des EMI et de la taille du système. Les applications typiques comprennent les alimentations sans interruption (ASI), les convertisseurs CC/CC, les convertisseurs élévateurs, la correction du facteur de puissance (PFC), le chargement photovoltaïque (PV), les convertisseurs solaires, les alimentations électriques de serveur et les alimentations électriques de réseau.
Caractéristiques
- Commutation à haute vitesse et faible capacité
- Charge de grille (QG(tot)) ultra-faible standard de 56 nC
- Faible capacité de sortie effective (COSS) standard de 80 pF
- Commutation inductive non limitée (UIL) testée à 100 %
- Tension drain-source nominale (VDSS) de 1 200 V
- 110 mΩ à une résistance drain-source (RDS(on)) maximale de 20 V
- Courant de drain (ID) maximum de 31 A
Applications
- Onduleurs (ASI)
- Convertisseurs CC-CC
- Onduleurs Boost
- PFC
- Charge PV
- Convertisseurs solaires
- Alimentations réseau
- Alimentations électriques de serveurs
Ressources supplémentaires
Vidéos
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Publié le: 2020-09-14
| Mis à jour le: 2024-08-23