Protection ESD TrEOS NXP Semiconductor

Protection ESD TrEOS NXP Semiconductor

La protection ESD TrEOS de NXP Semiconductor TrEOS prend en charge SuperSpeed USB jusqu'à 10 Gbit/s. Le TrEOS ESD protège contre les décharges de contact de 20 kV et surpasse la norme CEI 61000-4-2, niveau 4. TrEOS ESD fournit également une protection contre les surtensions d'une impulsion maximale de 9 A. Les applications comprennent : des lignes de données à très haute vitesse comme USB 3.1 et HDMI 2.0, des lignes d'interface pour les E/S sensibles et une protection ESD générale.

Caractéristiques
  • Capacité ultra faible standard de 0,10 pF
  • Prend en charge SuperSpeed USB à 10 Gbit/s
  • Résistance dynamique faible standard de 0,10 Ω
  • Technologie snap-back profonde
  • Tensions de blocage très faibles
  • Jusqu'à 20 kV de décharge par contact
  • Surpasse la norme CEI 61000-4-2, niveau 4
  • Jusqu'à 9 A (8/20 µs impulsion CEI 6100-4-5)
Applications
  • Lignes de données à très haute vitesse USB 3.1 à 10 Gbit/s et HDMI 2.0
  • Lignes d'interface avec des E/S très sensibles
  • Protection ESD générique
Part NumberNumber of ChannelsBreakdown VoltageClamping VoltageCd - Diode CapacitancePackage / CaseData Sheet
Loading First Previous Next Last
 
eNews
  • Nexperia