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Wolfspeed MOSFET SiC discrets C4MS 1 200 V

Les MOSFET discrets en carbure de silicium (SiC) C4MS 1 200 V de Wolfspeed offrent des performances inégalées dans les applications à commutation dure. La famille C4MS utilise une diode à corps souple et rapide qui permet une commutation rapide avec dépassement et sonnerie minimaux, élargissant ainsi l'espace de conception utilisable pour les ingénieurs afin d'optimiser les performances dans l'application. La famille C4MS offre des pertes Eon, ERR et Eoff améliorées par rapport à la famille de dispositifs C3M, tout en maintenant un faible coefficient de température RDS(on). Cette approche équilibrée offre des performances et une efficacité maximales pour une large gamme de topologies à commutation dure et à commutation douce.

En plus d'une meilleure performance de commutation, la famille C4MS 1 200 V de Wolfspeed offre une capacité de surtension transitoire, une durée de vie accrue à des tensions de bus élevées et une large compatibilité de tension de grille, et fournit ainsi une capacité « drop-in » simplifiée.

Caractéristiques

  • Eon et ERR faibles
  • Diode à corps souple avec dépassement et sonnerie faibles
  • Faible coefficient de température RDS(on)
  • Rapport Ciss/Crss élevé
  • Large compatibilité de tension de grille [-4 V à 0 V/15 V à 18 V]
  • Compatibilité de tension transitoire élevée
  • Le boîtier U2 est compatible broche-à-broche avec les autres boîtiers refroidis côté haut (TSC)
  • Idéal pour les applications à commutation dure
  • Des pertes réduites permettent une fréquence de commutation et des exigences de refroidissement de plus grande efficacité.
  • Permet une optimisation du rapport qualité-prix au niveau du système

Applications

  • Moteurs industriels basse tension
  • Alimentation électrique
  • Servomoteurs
  • Chargement rapide
  • Systèmes de stockage d'énergie
  • Solaire (applications commerciales)

Boîtiers

Graphique - Wolfspeed MOSFET SiC discrets C4MS 1 200 V
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Numéro de pièce Fiche technique Description
C4MS025120J2-TR C4MS025120J2-TR Fiche technique SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
C4MS025120K C4MS025120K Fiche technique SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
C4MS025120K1 C4MS025120K1 Fiche technique SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial
C4MS025120U2-TR C4MS025120U2-TR Fiche technique SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2), Industrial
C4MS036120J2-TR C4MS036120J2-TR Fiche technique SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
C4MS036120K C4MS036120K Fiche technique SiC MOSFET SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
C4MS036120K1 C4MS036120K1 Fiche technique SiC MOSFET SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial
C4MS036120U2-TR C4MS036120U2-TR Fiche technique SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2), Industrial
C4MS047120J2-TR C4MS047120J2-TR Fiche technique SiC MOSFET SiC, MOSFET,47mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
C4MS047120K C4MS047120K Fiche technique SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
Publié le: 2025-12-02 | Mis à jour le: 2025-12-19