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Vishay Semiconductors Optocoupleur de sortie de phototransistor TCMT111x

L'optocoupleur de sortie de phototransistor monocanal TCMT111x de Vishay Semiconductors est constitué d'un phototransistor couplé optiquement à un diode émetteur infrarouge en arséniure de gallium dans un boîtier à 4 broches. Ces dispositifs ont une tension de test d'isolation CA de 3 750 VRMS et une faible capacité de couplage de 0,3 pF (std). L’optocoupleur TCMT111x de Vishay Semiconductors a une large plage de température ambiante de fonctionnement (Tamb) de -40 °C à +110 °C et un rapport de transfert de courant (CTR) qui est sélectionné dans différents groupes par numéro de pièce.

Caractéristiques

  • Plage de température ambiante large de -40 °C à +110 °C
  • Approbations d'agence
    • UL 1577
    • cUL
    • DIN EN 60747-5-5 (VDE 0884-5)
    • CQC
    • BSI
    • FIMKO
  • Boîtier à faible hauteur (moitié de la distance entre les broches)
  • Tension de test d’isolation CA de 3 750 VRMS
  • Capacité de couplage faible de 0,3 pF (std.)
  • Rapport de transfert de courant (RTC) sélectionné par groupes
  • Faible coefficient de température du RTC

Applications

  • Contrôleurs logiques programmables
  • Modems
  • Machines répondeuses
  • Applications générales

Caractéristiques techniques

  • % CTR
    • TCMT1110 (VCE = 5 V, IF = 5 mA) : 50 %/600 % (min/max)
    • TCMT1113 (VCE = 5 V, IF = 10 mA) : 100 %/200 % (min/max)
    • TCMT1116 (VCE = 5 V, IF = 5 mA) : 100 %/300 % (min/max)
    • TCMT1117 (VCE = 5 V, IF = 5 mA) : 80 %/160 % (min/max)
    • TCMT1118 (VCE = 5 V, IF = 5 mA) : 130 %/260 % (min/max)
    • TCMT1119 (VCE = 5 V, IF = 5 mA) : 200 %/400 % (min/max)
  • Tension inverse (VR) de 6 V
  • Courant direct (IF) de 50 mA
  • Courant de surtension direct (IFSM) de 1,5 A (tP ≤10 μs)
  • Dissipation d'énergie (Pdiss) de 80 mW
  • Température de jonction (Tj) de 125 °C

Schéma du circuit

Schéma - Vishay Semiconductors Optocoupleur de sortie de phototransistor TCMT111x

Dimensions

Plan mécanique - Vishay Semiconductors Optocoupleur de sortie de phototransistor TCMT111x
Publié le: 2026-02-12 | Mis à jour le: 2026-02-16