Vishay Semiconductors Diodes à pont monophasé SiC VS-SCx0BA120
Les diodes SCHOTTKY à pont monophasé au carbure de silicium (SiC) VS-SCx0BA120 de Vishay Semiconductors sont des composants robustes 1 200 V à hautes performances pour une conversion de puissance efficace dans diverses applications. Utilisant la technologie SiC, ces diodes offrent une conductivité thermique et des capacités de haute tension supérieures. Ces diodes SCHOTTKY à large bande interdite fournissent une commutation dure à haut débit et un fonctionnement efficace sur une large plage de températures (-40 °C à +175 °C). Les applications standard incluent le redressement de sortie à ultra-haute fréquence PFC CA/CC et CC/CC dans les convertisseurs FBPS et LLC. Les diodes SCHOTTKY à pont monophasé au carbure de silicium (SiC) VS-SCx0BA120 de Vishay Semiconductors sont recommandées pour toutes les applications souffrant d’un comportement de récupération ultra-rapide au silicium.
Caractéristiques
- Pratiquement aucune queue de récupération et aucune perte de commutation
- Diode porteuse majoritaire utilisant la technologie Schottky sur un matériau SiC à large bande interdite
- VF et rendement améliorés grâce à la technologie à couche mince
- Commutation à haute vitesse, faibles pertes de commutation
- Coefficient de température positif, pour une mise en parallèle facile
- Plaque de base isolée électriquement
- Large distance de fuite entre les bornes
- Conceptions mécaniques simplifiées, assemblage rapide
- Conçu et qualifié pour le niveau industriel
- Approuvé UL fichier E78996
- Sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- Serveurs
- Onduleurs solaires
- Télécommunications
- Alimentation non interruptible (UPS)
Caractéristiques techniques
- Tension de claquage cathode-anode minimale de 1 200 V
- Plage de tension directe standard de 1,5 V à 2,48 V
- Plage de courant de fuite inverse standard de 1,3 μA à 10,0 μA
- Options de capacité de jonction de 136 pF ou 206 pF
- Options de courant de sortie CC maximal de 50 A ou 90 A
- Plage de courant direct non répétitif de crête maximale de 276 A à 524 A
- Options de plage de tension de seuil de 0,81 V à 0,88 V ou de 0,88 V à 1,01 V par branche
- Valeurs de résistance de pente directe de 22,62 mΩ à 22,71 mΩ ou de 31,16 mΩ à 31,49 mΩ
- Plage de température de jonction de -40 °C à +175 °C
- Style de boîtier SOT-227
Fiche technique
- Pont monophasé au carbure de silicium SOT-227, 50 A VS-SC50BA120
- Pont redresseur au carbure de silicium SOT-227 90 A VS-SC90BA120
Publié le: 2024-10-31
| Mis à jour le: 2024-11-12