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Vishay Semiconductors Diode à récupération ultra-rapide et douce VS-EBU15006HN4

La diode à récupération ultra-rapide et douce VS-EBU15006HN4 de Vishay Semiconducteurs est optimisée pour réduire les pertes et les EMI/RFI dans les systèmes de conditionnement de puissance à haute fréquence. Cette diode présente un courant direct continu 150 A et sa douceur élimine le besoin d'un amortisseur dans la plupart des applications. La diode VS-EBU15006HN4 est AEC-Q101-qualified et est fournie dans un boîtier PowerTab®. Cette diode est idéale pour le soudage haute fréquence, les convertisseurs de puissance et d'autres applications où les pertes de commutation ne représentent pas une part significative des pertes totales.

Caractéristiques

  • Temps de récupération ultra-rapide
  • Courant direct continu de 150 A (IF(AV))
  • Tension de rupture de 600 V (VBR)
  • RFI et EMI réduits
  • Exploitation à fréquence plus élevée
  • Température de fonctionnement de jonction maximale de 175 °C
  • Capacité de jonction (CT) de 70 pF
  • Amortissement réduit
  • Nombre réduit de pièces
  • Montage uniquement Screw >>> (à) vis
  • Qualification AEC-Q101
  • PowerTab® boîtier

Applications

  • Soudure à haute fréquence
  • Convertisseurs de puissance

Dimensions du boîtier

Plan mécanique - Vishay Semiconductors Diode à récupération ultra-rapide et douce VS-EBU15006HN4

Ressource supplémentaire

Publié le: 2025-03-14 | Mis à jour le: 2025-03-25