Vishay Semiconductors VEMD8083 Photodiode broche en silicium haute vitesse
La photodiode broche en silicium haute vitesse VEMD8083 de Vishay semiconducteurs est conçue pour des applications de détection de lumière précises. Le VEMD8083 de Vishay est doté d'un boîtier compact à montage en surface avec une construction en époxy noire qui améliore la sensibilité à la lumière visible et infrarouge proche tout en minimisant l'interférence de la lumière ambiante. Avec un temps de réponse rapide et une faible capacité, le VEMD8083 est idéal pour la détection optique à haute vitesse, le diagnostic médical et l'automatisation industrielle. La sensibilité spectrale optimisée du dispositif avec un 2,8 mm2 zone sensible et courant d'obscurité faible (10nA) garantissent une précision élevé dans des conditions de faible luminosité, ce qui en fait un fiable choix pour la photodétection des applications nécessitant efficacité et précision.Caractéristiques
- Type de boîtier à montage en surface
- Forme du boîtier : vue supérieure
- 3,2 mm x 2,0 mm x 0,6 mm (LxLxH) size >>> taille
- zone sensible de 2,8 mm2
- Sensibilité améliorée
- Tension directe typique de 0,9 V, 1,3 V maximum
- Tension inverse de 20 V
- Courant d'obscurité inverse de 10 nA
- Longueur d'onde standard de 940 nm de sensibilité maximale
- Plage standard de largeur de bande spectrale de 350 nm à 1 100 nm
- 30 ns montée/temps de descente
- Convient pour visible et rayonnement infrarouge proche
- Compatible avec le processus de brasure par reflow >>> refusion infrarouge
- Angle de demi-sensibilité - φ = ±60 °
- Durée de vie au sol de 168 h, MSL3, conformément à la J-STD-020
- Plage de température de fonctionnement de -40 °C à +85 °C
- Sans plomb, sans halogène (VERT) et conforme à la directive RoHS
Applications
- Wearables
- Surveillance médicale
- Détection optique
- Détecteurs photo à haute vitesse
- Automatisation industrielle
Dimensions
Publié le: 2025-01-22
| Mis à jour le: 2025-01-28
