Vishay / Siliconix MOSFET 60 V à canal N automobile SQS660CENW
Le MOSFET 60 V automobile à canal N SQS660CENW Vishay/Siliconix est un MOSFET de puissance TrenchFET® HOMOLOGUÉ AEC-Q101. Le SQS660CENW est spécifié à 18 A ID et 60 V V VDS. Le composant à configuration unique est proposé en boîtier PowerPAK® 1212-8W avec une plage de température de jonction en fonctionnement et de température de stockage de -55°C à +175°C.
Caractéristiques
- MOSFET de puissance TrenchFET®
- Qualifié AEC-Q101
- 100 % testé à Rg et UIS
Style de boîtier
Publié le: 2021-04-12
| Mis à jour le: 2022-03-11