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Vishay / Siliconix MOSFET 70 V à double canal N (D-S) SiZ254DT

Les MOSFET 70 V à double canal N (D-S) SiZ254DT Vishay / Siliconix sont des MOSFET® de puissance TrenchFET Gen IV. Les MOSFET SiZ254DT à 70 V disposent d'un étage de puissance demi-pont MOSFET intégré et d'un rapport Qgs/Qgs optimisé qui améliore les caractéristiques de commutation. Les doubles MOSFET SiZ254DT Vishay/Siliconix sont idéaux pour les applications POL, convertisseurs buck synchrones, CC-CC télécoms, convertisseurs résonants et commandes d'entraînement moteur.

Caractéristiques

  • TrenchFET Gen IV de puissance MOSFETs
  • 100 % testé à Rg et UIS
  • Étage de puissance demi-pont MOSFET intégré
  • Le rapport Qgs/Qgs optimisé améliore les caractéristiques de commutation

Applications

  • POL
  • Convertisseurs Buck synchrones
  • Télécommunications CC/CC
  • Convertisseurs résonnants
  • Commande de moteurs

Style de boîtier

Vishay / Siliconix MOSFET 70 V à double canal N (D-S) SiZ254DT
Publié le: 2021-02-05 | Mis à jour le: 2022-03-11