Vishay / Siliconix MOSFET à canal N TrenchFET® Gen IV 80 V SiEH4800EW
Le MOSFET à canal N TrenchFET® Gen IV 80 V SiEH4800EW de Vishay / Siliconix est conçu pour des applications de commutation d'énergie à haut rendement. Logé dans un boîtier BWL (bond wireless) de 8 mm x 8 mm PowerPAK® compact, le SiEH4800EW offre une résistance à l'état passant exceptionnellement faible de 0,00115 Ω à une VGS de 10 V, minimisant ainsi les pertes par conduction et améliorant les performances thermiques. Avec un courant de drain continu maximum de 260 A et une faible charge de grille de 117 nC, ce MOSFET Vishay / Siliconix est optimisé pour la commutation rapide et la gestion de courants élevés, ce qui le rend idéal pour une utilisation en redressement synchrone, dans les entraînements à moteur et les convertisseurs CC-CC haute performance. Une conception robuste et une technologie de tranchée avancée assurent une exploitation fiable dans les environnements exigeants.
Caractéristiques
- MOSFET de puissance Gén IV TrenchFET
- Proposé dans un boîtier BWL de 8 mm x 8 mm PowerPAK compact, avec un profil ultra-mince de 1 mm, il minimise l'inductance parasite tout en maximisant la capacité de courant
- Le boîtier à flanc mouillable améliore l'aptitude de brasage tout en facilitant l'inspection visuelle de la fiabilité de la jointure de brasure
- Il intègre des pattes fusibles pour augmenter la zone de soudure de la plaquette de source et permettre une conception plus robuste
- Une faible résistance thermique maximale (RthJC) de 0,36 °C/W améliore les performances thermiques.
- Une faible résistance de conduction allant jusqu'à 0,88 mΩ standard à 10 V minimise les pertes de puissance par conduction pour accroître l'efficacité
- RDS x facteur de mérite (FOM) Qg très faibles
- Exploitation à haute température jusqu'à +175 °C
- Empreinte 50 % plus petite que le D2PAK (TO-263)
- 100 % testé à Rg et UIS
- Entièrement sans plomb, sans halogène et conforme à la directive RoHS
Applications
- Redressement synchrone
- OR-ing
- Contrôle de l'entraînement du moteur
- Gestion de batterie
Caractéristiques techniques
- Statique
- Tension de rupture drain-source maximale de 80 V
- Tension de seuil de grille à source de 2 V à 4 V
- Fuite de grille à source maximale de ±100 nA
- Transconductance directe standard de 150 S
- Dynamique
- Capacité d'entrée standard de 29 nF
- Capacité de sortie standard de 1 650 pF
- Capacité de transfert inverse standard de 42 pF
- Plage de résistance de grille de 0,24 Ω à 2,4 Ω
- Plage de temps maximal de retard de passage à la fermeture de 45 ns à 60 ns
- Plage de temps maximum de montée de 30 ns à 50 ns
- Plage de temps maximal de retard de passage à l'ouverture de 130 ns à 140 ns
- Temps de descente de 40 ns
- Diode de corps drain-source
- Courant continu maximum de la diode drain-source de 379 A (TC = +25 °C)
- Courant direct de la diode de pulse de 700 A maximum
- Tension maximale de la diode de corps de 1,1 V
- Temps de récupération inverse maximum de la diode de corps de 165 ns
- Charge de récupération inverse maximum de la diode de corps de 500 nC
- Temps de descente standard de récupération inverse de 60 ns
- Temps de montée standard de récupération inverse de 23 ns
- Tension maximale entre la grille et la source de ±20 V
- Courant de drain continu maximum (TJ = +175 °C)
- De 29 A (TA = +70 °C) à 34 A (TA = +25 °C)
- De 319 A (TC = +70 °C) à 381 A (TC = +25 °C)
- Avalanche à impulsion unique
- Courant maximum de 87 A
- Énergie maximum de 380 mJ
- Puissance dissipable admissible
- De 2,4 W (TA = +70 °C) à 3,4 W (TA = +25 °C)
- De 292 W (TC = +70 °C) à 417 W (TC = +25 °C)
- Plage de température de fonctionnement de jonction de -55 °C à +175 °C
- Température maximale de soudage de +260 °C
- Résistance thermique maximum
- Jonction à ambiante de 44 °C/W, régime établi
- Jonction à boîtier (drain) de 0,36 °/W, régime établi
Publié le: 2025-06-11
| Mis à jour le: 2025-06-16