Vishay Module de puissance intégré VRPower® 50 A SiC658A
L'étage de puissance intégré Vishay SiC658A VRPower® 50 Aoffre un rendement élevé et des performances thermiques supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications à fort courant. Grâce à sa technologie MOSFET avancée, le Vishay SiC658A assure une conversion de puissance optimale et des pertes de commutation réduites, renforçant ainsi la fiabilité des systèmes serveurs et informatiques. Le module est proposé dans un boîtier PowerPAK® MLP55-31L à performances thermiques optimisées, prend en charge jusqu’à 50 A de courant continu et fonctionne à des fréquences élevées allant jusqu’à 1,5 MHz.
Caractéristiques
- Technologie TrenchFET
- MOSFET côté bas avec diode SCHOTTKY intégrée
- Contrôle de détection de courant zéro pour l'amélioration de l'efficacité des charges légères
- Faible retard de propagation MLI
- Moniteur thermique et indicateur de défaut
- Protection à verrouillage de sous-tension
- Protection de surintensité
- Protection contre les courts-circuits des FET haute tension
- Protection contre la surchauffe
Applications
- Dispositifs de réduction de tension multiphase (VRD)
- UCT / CPU
- GPU
- Mémoire
Caractéristiques techniques
- Exploitation à une fréquence allant jusqu'à 1,5 MHz
- Logique MLI 3,3 V avec tri-état et support
- Boîtier PowerPAK amélioré MLP55-31L
- Courant continu nominal de 50 A
- Courants de crête de 80 A et 100 A
- Plage de tension d'entrée de 4,5 V à 24 V
- Plage de température de fonctionnement de -40 °C à +125 °C
Configuration PIN
Schéma d'application standard
Publié le: 2025-05-06
| Mis à jour le: 2025-06-02