Vishay Semiconductors Pont redresseur monophasé GBUE2580
Le pont redresseur monophasé GBUE2580 de Vishay Semiconducteurs présente une configuration de circuit en ligne unique avec une faible chute de tension directe et une capacité élevée de courant de surtension. Ce redresseur prend en charge une résistance diélectrique élevée de 1 500 VRMS et 275 °C maximum 10 s brasure boîtier DIP par JESD 22-B106. Le pont redresseur GBUE2580 est doté d'une tension inverse de crête maximale répétitive de 800 V et d'un courant de sortie redressé moyen maximal de 25 A dans un boîtier GBU. Ce redresseur est exempt d'halogène, conforme à la directive RoHS et de qualité industrielle. Le pont redresseur GBUE2580 est idéal pour les dispositifs d'accueil, les appareils électroménagers, les alimentations électriques de télécommunications, les PC à haute efficacité de bureau, le serveur SMPS et les alimentations de commutation.
Caractéristiques
- Numéro de fichier de reconnaissance UL E312394
- Jonction de puce plane à oxyde
- Faible chute de tension directe
- Brasure boîtier DIP 275 °C maximum 10 s, selon la norme JESD 22-B106
- Idéal pour les circuits imprimés
- Grande capacité de courant de surtension
- Haute résistance diélectrique du boîtier de 1 500 VRMS
Applications
- Redressement en pont CA/CC à onde complète onde pour commutation de l'alimentation électrique
- Applications Accueil
- Alimentation électrique télécom
- PC de bureau à haute efficacité
- Serveur SMPS
Caractéristiques techniques
- Tension inverse de crête répétitive maximale de 800 V
- Courant de sortie moyen rectifié direct maximal de 25 A à TC = 124 °C
- Courant de surtension direct de crête non répétitif de 300 A 8,3 ms onde sinusoïdale simple, TJ = 25 °C
- Plage de température de fonctionnement de -55 °C à 150 °C
- Boîtier GBU
- Configuration de circuit en ligne
Courbes Characteristics >>> caractéristiques
Dimension
Publié le: 2025-02-20
| Mis à jour le: 2025-02-26