Vishay PowerPAK MOSFET 60 V et 100 V (D-S) à N canaux
Les MOSFET 60 V et 100 V (D-S) à N canaux de Vishay disposent de la technologie TrenchFET® Gen IV, d’une faible résistance en marche et d’une résistance thermique extrêmement faible. Ces composants disposent également d’une charge de grille et d’une charge de sortie très faibles, réduisant ainsi la perte de puissance et améliorant le rendement. Le boîtier PowerPAK® SO-8 compact de 6,15 x 5,13 mm offre une alternative peu encombrante aux solutions TO-220 et TO-263 conventionnelles.
Caractéristiques
- MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV
- La charge de grille (Qg) et la charge de sortie (Qoss) très faibles réduisent la perte de puissance et améliorent le rendement
- Les fils flexibles offrent une résilience aux contraintes mécaniques
- Testé 100 % Rg et UIS
- Le rapport Qgd/Qgs < 1 optimise les caractéristiques de commutation
- Conforme à la directive RoHS et sans halogènes
Applications
- Redressement synchrone
- Haute densité de puissance CC-CC
- Onduleurs CC-CA
- Micro-onduleurs solaires
- Convertisseurs Boost
- Rétroeclairage LED
InfoGraph
Produits associés
Vishay / Siliconix Power MOSFETs
Low-to-high power MOSFETs that meet the increasing demands of applications in growth markets.
Publié le: 2020-03-19
| Mis à jour le: 2024-12-17