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095/096 PLL-4TSI Condensateurs de puissance à insérer longue durée 85 °C Caractéristiques Longue vie utile : jusqu'à 10 000 heures à 85 °C avec haut courant d'oscillation 4 bornes à insérer pour montage stable sur carte PC et polarité à détrompeur Capacité de courant d’ondulation élevée et faible ESR Tailles de 35 mm x 50 mm jusqu'à 45 mm x 100 mm ; 350 V à 450 V Fiche technique 095 PLL-4TSI Fiche technique 096 PLL-4TSI Afficher le détail des produits	Si4286DY Double MOSFET de puissance à canal N, 40 V Caractéristiques Boîtier SO-8 Résistance en marche maximale pouvant descendre à 0,0325 Ω Charge de grille standard de 6,8 nC à VGS = 10 V Fiche technique Afficher le détail des produits	BYG23T Diode avalanche ultra-rapide à haute tension Caractéristiques Boîtier SMA à profil mince Courant inverse faible Tension inverse élevée Durée de reprise inverse ultra-rapide Fiche technique Afficher le détail des produits
RNX Résistance à oxyde métallique à fil axial Caractéristiques Hautes tensions jusqu'à 8 kV ; hautes valeurs de résistances jusqu'à 2 GΩ Tolérances jusqu'à 0,5 % ; coefficient de température étroit réduit à 50 ppm/°C Revêtement époxy retardateur de flammes ou en silicone ignifuge Structure sans induction facultative ou fils DIA 0,032 pouce Fiche technique Afficher le détail des produits	Condensateurs en disque céramiques haute tension série 715C Condensateurs en disque céramiques haute tension Caractéristiques Céramiques de classe 1 et de classe 2 Tensions CC : 10 kVDC à 40 kVDC, tensions CA : 4 kVRMS à 13 kVRMS Plage de température de fonctionnement : de -30 °C à +85 °C Montage de borne à vis Fiche technique 715C..DK Fiche technique 715C..KT Afficher le détail des produits	SiHG24N65E Simple MOSFET de puissance à canal N et 650 V Caractéristiques Technologie de super jonction à haute tension série E à haute performance Courant maximal de 24 A Boîtier TO-247 Résistance en marche maximale de 0,145 Ω à VGS = 10 V Fiche technique Afficher le détail des produits
ROX Résistance à oxyde métallique à fil axial Caractéristiques Hautes tensions jusqu'à 45 kV Hautes valeurs de résistances (jusqu'à 3 GΩ) Versions non inductives disponibles Structures facultatives (corps plein, fils DIA 0,040 ", bornes filetées) disponibles Fiche technique Afficher le détail des produits	Série LPS Résistances à couche épaisse de haute puissance Caractéristiques Haute puissance en petite taille jusqu'à 1 100 W à 25 °C Faible poids de 83 g Non inductive jusqu'à 1 µH Haute capacité de pulsation jusqu'à pulsation courte de 1 000 J Fiche technique LPS 300 Fiche technique LPS 600 Fiche technique LPS 800 Fiche technique LPS 1100 Afficher le détail des produits	Série non magnétique Vishay Vitramon MLCC pour applications non magnétiques Caractéristiques Diélectriques C0G (NP0) et X7R, tailles : 0402 à 3640, jusqu'à 3 000 V, capacité jusqu'à 6,8 µF Fabriqués à partir de matériaux non magnétiques et triés selon la sécurité de leurs propriétés magnétiques Les méthodes d'assemblage permises sont la liaison époxy conductrice et la refusion IR Système à électrode en métal noble (NME) fiable élaboré par procédé humide Fiche technique Afficher le détail des produits
DG611A Interrupteur SPST quadruple de haute précision Caractéristiques Faible fuite garantie, 0,25 nA max à 85 °C Injection de charge ultra-faible à 1 pC Large plage de tension de fonctionnement, prise en charge de rails de puissance simples et doubles Disponible en TSSOP et miniQFN16 ultra-compact Fiche technique Afficher le détail des produits	CRHV Résistance en puce à couche épaisse et haute tension Caractéristiques Tensions de fonctionnement de 1 500 V à 3 000 V ; valeurs de 2 MΩ à 50 MΩ Bornes à bobinage sur 3 côtés standard avec plusieurs options dont Flip-chip (puce retournée) Matériaux aux bornes disponibles pour soudure, époxy ou liaison par fils Conceptions sur mesure disponibles pour répondre aux applications des clients Fiche technique des diodes SMP12A Afficher le détail des produits

Monitoring de patients

Série de haute fiabilité Vitramon Vishay MLCC pour applications de haute fiabilité Caractéristiques Diélectriques C0G (NP0) et X7R, tailles : 0402 à 3640, jusqu'à 600 V, capacité jusqu'à 6,8 µF Disponible avec plusieurs options de tri Disponible avec plusieurs options de bornes notamment en étain, plomb et non magnétique Système à électrode en métal noble (NME) fiable élaboré par procédé humide Fiche technique Afficher le détail des produits	Si1902CDL/SiA906EDJ/SiB912DK Double MOSFET de puissance à canal N, 20 V Caractéristiques Technologie à canal n 20 V Courant maximal jusqu'à 4,1 A Boîtier 2 mm x 2 mm SC-70, PowerPAK® SC-70 et 1,6 mm x 1,6 mm PowerPAK SC-75 Résistance en marche maximale descendant à 0,046 Ω à VGS = 4,5 V Fiche technique Si1902CDL Fiche technique SiA906EDJ Fiche technique SiB912DK Afficher le détail des produits	VBUS052CD-FAH Protection ESD à port-bus 2 lignes Caractéristiques Boîtier LLP1713-7L compact Faible hauteur de boîtier <> Faible capacité de charge : CD = 0,8 pF Idéal pour les lignes de données à haut débit dans les applications médicales Fiche technique Afficher le détail des produits
DFN Double diviseur de réseau de résistances à couche mince de précision sans plomb et plat Caractéristiques Petite taille : 4 mm x 4 mm x 1 mm de profil ; 0,65 mm de pas de broche Diviseurs de résistances populaires 1:1 à 100:1 Tolérances étroites : ± 0,02 % valeurs égales Suivi TCR faible : ± 3,0 ppm/°C ; excellente stabilité à long terme : ± 0,015 % ; taux ΔR 2 000 h à 70 °C Fiche technique	Microtan® série 298D (standard) et série 298W (étendu) Idéal pour les applications à contraintes d'espace Caractéristiques Meilleur rendement volumique du secteur Petites tailles, notamment les empreintes 0402, 0603 et 0805 Fiche technique Afficher le détail des produits	SiP32411 Commutateur de charge intelligent à contrôle du taux de balayage 2 A Caractéristiques Tension de fonctionnement 1,1 V à 5,5 V RDS(on) faible et plate sur la totalité de la tension de fonctionnement Blocage du courant inverse quand le commutateur est éteint En boîtier compact TDFN à 4 fils 1,2 mm x 1,6 mm x 0,55 mm Fiche technique Afficher le détail des produits
PTF Résistance à couche métallique à fil axial Caractéristiques Tolérance de haute précision jusqu'à 0,01 % Haute stabilité des coefficients de température jusqu'à 5 ppm/°C Revêtement époxy propriétaire donnant une protection supérieure contre l'humidité Utilisée pour équilibrer précisément les circuits Fiche technique Afficher le détail des produits	Série TNPW e3 Résistances sur puce à couche mince de haute stabilité Caractéristiques Faible coefficient de température et tolérances étroites : ± 0,1 %, ± 10 ppm/K Excellente stabilité globale en conditions d’environnement difficile Homologué AEC-Q200, Classe Automobile Tailles de boîtier : 0402 à 1210 Fiche technique Afficher le détail des produits	NTCS0805E3104SMT Thermistances NTC 0805 CMS à protection de verre Caractéristiques R25 100 K ± 1 % avec 1 % de B-tolérance Capteur thermique ultra-stable avec dérive-R sur la vie de la thermistance <> Température de fonctionnement élevée jusqu’à 150 °C Fiche technique Afficher le détail des produits
TFDU4101 Émetteur-récepteur infrarouge pour communication sans fil Caractéristiques Distance de liaison de 0 à 1 m Débit de 115 kbit/s ; SIR Boîtier à montage en surface à vision latérale ou supérieure ; 4 mm x 9,7 mm s 4,7 mm Alimentation partagée permettant d'être pilotée à partir d'alimentations séparées du récepteur Fiche technique Afficher le détail des produits	NTHS0603 Thermistances sur puce 0603 NTC CMS Caractéristiques Tolérance R25 jusqu'à 1 % Structure monobloc à haute densité avec revêtement de verre Large plage de température de fonctionnement : de -40 °C à +125 °C Fiche technique SMCJxx Afficher le détail des produits

Régulateurs cardiaques

Antenne sur puce céramique Série VJ5301M400 conçue pour 400 MHz Caractéristiques Petit contour 5301 (35 mm x 5 mm x 1,2 mm) Interface de réglage non équilibrée de 50 Ω à faible perte RF, en céramique de haute qualité Bande passante réglée à mi-puissance de 120 MHz (360 MHz à 480 MHz) Système à électrode en métal noble (NME) fiable élaboré par procédé humide Fiche technique VJ5301M868MXBSR Fiche technique VJ5301M915MXBSR Fiche technique VJ5601M915MXBSR Fiche technique VJ5601M868MXBSR Afficher le détail des produits	SMMA511DJ/SMMB912DK Double MOSFET de puissance à canal N 20 V et de paire N et P 12 V Caractéristiques Flux de procédé SMM de ultra-haute qualité Courant maximal jusqu'à 4,5 A Boîtier 2 mm x 2 mm PowerPAK® SC-70 et 1,6 mm x 1,6 mm PowerPAK SC-75 Résistance en marche maximale pouvant descendre à 0,04 Ω Fiche technique SMMA511DJ Fiche technique SMMB912DK	Série de haute fiabilité Vitramon Vishay MLCC pour applications de haute fiabilité Caractéristiques Diélectriques C0G (NP0) et X7R, tailles : 0402 à 3640, jusqu'à 600 V, capacité jusqu'à 6,8 µF Disponible avec plusieurs options de tri Disponible avec plusieurs options de bornes notamment en étain, plomb et non magnétique Système à électrode en métal noble (NME) fiable élaboré par procédé humide Fiche technique Afficher le détail des produits
MSFM Résistance miniature à contact supérieur à couche mince Caractéristiques Petite taille, large plage de valeurs en Ω et haute valeur de puissance 0,015 po. x 0,015 po. Plage de valeurs de 2,5 Ω à 400 kΩ ; tolérances de ± 0,1 % Puissance nominale 250 mW Fiche technique	Microtan® de haute fiabilité série TM8 Condensateurs au tantale de haute fiabilité Caractéristiques Conceptions solides pour une fiabilité maximale Meilleur rendement volumique du secteur ; idéal pour les applications à contraintes d'espace Petites tailles, notamment l'empreinte 0603 Faible DCL pour autonomie de batterie étendue Fiche technique Afficher le détail des produits	DG469 Interrupteur analogique SPDT faible Ron 36 V Caractéristiques Prise en charge de fonctionnement à simple et double puissance Plages de tension d'alimentation simple de 4,5 V à 36 V Résistance en marche faible de 3,6 Ω et plate à 0,4 Ω Disponible en boîtier compact MSOP8 et SOIC8 Fiche technique Afficher le détail des produits
Série TNPW e3 Résistances sur puce à couche mince de haute stabilité Caractéristiques Faible coefficient de température et tolérances étroites : ± 0,1 %, ± 10 ppm/K Excellente stabilité globale en conditions d’environnement difficile Homologué AEC-Q200, Classe Automobile Tailles de boîtier : 0402 à 1210 Fiche technique Afficher le détail des produits	Composants magnétiques adaptés Bobine télémétrique et antenne Caractéristiques Fabriqués selon les plans des clients Usine certifiée ISO 134858 Fiche technique	IMBD4148-V-GS08 Simple diode planaire épitaxiale de silicium Caractéristiques Qualification AEC-Q101 Version écologique disponible Boîtier SOT-23 Fiche technique Afficher le détail des produits

Moniteurs de glucose

IHLP-1212AB Inducteur courant élevé IHLP® à profil mince Caractéristiques Construction blindée Supporte de hautes pointes de courant transitoire sans saturation Bruit ultra-faible grâce à une architecture composite 100 % sans plomb (Pb) et conforme RoHS Fiche technique Afficher le détail des produits	SiP32431 Commutateur de charge intelligent à contrôle du taux de balayage 1 A Caractéristiques Tension de fonctionnement 1,5 V à 5,5 V Faible RDS(on) avec courant de repos ultra-faible <> Possibilité de blocage courant inversé En boîtier compact TDFN à 4 fils 1,2 mm x 1,6 mm x 0,55 mm Fiche technique Afficher le détail des produits	NTCS0603E3 Thermistances NTC 0603 CMS à protection de verre Caractéristiques Tolérance sur R25 à 1 % et pour B25/85 réduite à 1 % Température de fonctionnement élevée jusqu’à 150 °C Fiche technique Afficher le détail des produits
Série TNPW e3 Résistances sur puce à couche mince de haute stabilité Caractéristiques Faible coefficient de température et tolérances étroites : ± 0,1 %, ± 10 ppm/K Excellente stabilité globale en conditions d’environnement difficile Homologué AEC-Q200, Classe Automobile Tailles de boîtier : 0402 à 1210 Fiche technique Afficher le détail des produits	NTCLE203E3103SB0 Thermistances NTC, à fil radial à 2 points Caractéristiques Précision supérieure que 0,5 °C sur la plage de température de 25 °C à 85 °C Corps du capteur isolé jusqu'à 500 Vrms Fiche technique Afficher le détail des produits	MSS1P3U-M3/89A Schottky 1 A et 30 V en MicroSMP Caractéristiques Profil très mince - hauteur standard de 0,68 mm Chute de la tension directe ultra-faible Idéal pour un placement automatisé Conforme à la directive RoHS et sans halogène Fiche technique Afficher le détail des produits
293D Condensateur à puce moulée au tantale CMS Caractéristiques Tantamount®, classe industrielle standard Boîtier moulé disponible en six codes boîtiers Bornes : 100 % étain mat, standard, disponible en étain et plomb Compatible avec les équipements à bras transfert automatique à volume élevé Fiche technique Afficher le détail des produits	Si1012CR Simple MOSFET de puissance à canal N et 20 V Caractéristiques Technologie à canal n 20 V Courant maximal : 0,5 A Boîtier SC75A Résistance en marche maximale de 0,216 Ω à 4,5 V Fiche technique Afficher le détail des produits	BAT 54-02V-V-G-08 Diode Schottky de petit signal Caractéristiques Profil très mince - hauteur standard de 1,1 mm Protection par anneau de garde de jonction PN contre les tensions excessives Fiche technique Afficher le détail des produits

IRM

Série non magnétique Vishay Vitramon MLCC pour applications non magnétiques Caractéristiques Diélectriques C0G (NP0) et X7R, tailles : 0402 à 3640, jusqu'à 3 000 V, capacité jusqu'à 6,8 µF Fabriqués à partir de matériaux non magnétiques et triés selon la sécurité de leurs propriétés magnétiques Les méthodes d'assemblage permises sont la liaison époxy conductrice et la refusion IR Système à électrode en métal noble (NME) fiable élaboré par procédé humide Fiche technique Afficher le détail des produits	Si4435DDY Simple MOSFET de puissance à canal P 30 V Caractéristiques Boîtier SO-8 Résistance en marche maximale pouvant descendre à 0,024 Ω Charge de grille standard de 32 nC à VGS = 10 V Fiche technique Afficher le détail des produits	SD300C04 Diodes de récupération standard à 650 A Caractéristiques Version PUK Hockey Large plage de courant Haute tension nominale jusqu’à 3 200 V Capacité de courant de choc élevée Fiche technique Afficher le détail des produits
CRA06E Barrettes de résistances à couche épaisse Caractéristiques Barrettes à bornes convexes à coins festonnés Boîtier à 8 broches Économise de l'espace sur les cartes Idéal pour les placements automatiques à haute vitesse Fiche technique Afficher le détail des produits	MMKP383 Double condensateur MKP métallique CA à impulsion Caractéristiques Faible résistance de contact, faible perte diélectrique Haute force d'impulsion (jusqu'à 20 000 V/µs) Petites dimensions pour boîtier à haute densité Pas des fils de 7,5 mm à 37,5 mm Fiche technique Afficher le détail des produits	SiHFR9024/IRFR9024 Simple MOSFET de puissance à canal P, 60 V Caractéristiques Courant maximal : 8,8 A Boîtier DPAK Résistance en marche maximale de 0,28 Ω à VGS = 10 V Fiche technique Afficher le détail des produits
20MT120UFAPbF Module MTP IGBT à pont complet 20 A, 1 200 V Caractéristiques Technologie ultra-rapide NPT (non punch through, sans poussée traversante) Diodes anti-parallèles HEXFRED® à récupération inverse ultra-douce Capacité de court-circuit 10 µs Optimisés pour les fréquences de 8 kHz à 60 kHz Fiche technique Afficher le détail des produits	Série TNPW e3 Résistances sur puce à couche mince de haute stabilité Caractéristiques Faible coefficient de température et tolérances étroites : ± 0,1 %, ± 10 ppm/K Excellente stabilité globale en conditions d’environnement difficile Homologué AEC-Q200, Classe Automobile Tailles de boîtier : 0402 à 1210 Fiche technique Afficher le détail des produits	T83 COTS haute fiabilité condensateur à puce au tantale CMS Caractéristiques Options d'ESR standard et faible Boîtier moulé disponible en six codes boîtiers Options de test en surintensité et de classe Weibull Bornes : 100 % étain mat et étain/plomb Fiche technique Afficher le détail des produits
SFH6732 Optocoupleur à haute vitesse DIP-8, double, 5 Mbauds Caractéristiques 5 Mbit/s Compatible TTL, LSTTL et CMOS Large plage de tension d'alimentation (4,5 V à 15 V) Faible courant d'entrée (1,6 mA à 5 mA) Fiche technique Afficher le détail des produits	PNM Résistance sur puce à couche mince non magnétique Caractéristiques Tous les matériaux ne sont pas magnétiques Caractéristiques de performances stables : 0,03 % ΔR à 70 °C, 10 000 h Tolérance jusqu'à ± 0,1 % Large plage de résistance : 10 Ω à 3 MΩ Fiche technique Afficher le détail des produits

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Publié le: 2019-11-07 | Mis à jour le: 2024-01-10