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Toshiba MOSFET à canal N en silicium TKx

Les MOSFET à canal N en silicium TKx de Toshiba sont disponibles en versions U-MOSX-H et DTMOSVI et affichent des caractéristiques de performance exceptionnelles. Ces MOSFET sont conçus avec des temps de récupération inverse rapides qui améliorent l’efficacité dans des applications de commutation à haute vitesse en réduisant le délai entre les phases d’arrêt et d'enclenchement. La faible résistance drain-source à l'état passant [RDS(on)] contribue à réduire les pertes de puissance et à améliorer lagestion thermique , ce qui les rend idéaux pour les applications nécessitant une forte capacité de conduction avec une faible dissipation énergétique.

Caractéristiques

  • Versions U-MOSX-H et DTMOSVI
  • Temps de récupération inverse rapide
    • Entre 40 ns et 52 ns en standard pour l'U-MOSX-H
    • 135 ns en standard pour le DTMOSVI
  • Faibles résistances drain-source à l'état passant
    • Entre 4,1 mΩ et 8 mΩ en standard pour l'U-MOSX-H
    • 0,052 Ω en standard pour le DTMOSVI
  • Plages en mode de fonctionnement à enrichissement
    • De 3,1 V à 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,1 mA à 2,2 mA) pour la version U-MOSX-H
    • De 3,5 V à 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,69 mA) pour la version DTMOSVI
  • Propriétés de commutation à haute vitesse avec une capacité réduite (DTMOSVI)
  • Charge de récupération inverse standard entre 32 nC et 55 nC (U-MOSX-H)
  • Charge de grille standard entre 17 nC et 26 nC (U-MOSX-H)
  • Courant de fuite maximal 10 µA (U-MOSX-H)

Applications

  • Régulateurs de tension de commutation
  • Convertisseurs CC-CC à haut rendement (U-MOSX-H)
  • Pilotes de moteur (U-MOSX-H)
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Numéro de pièce Fiche technique Package/Boîte Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Qg - Charge de grille Pd - Dissipation d’énergie Temps de montée Temps de descente
TK095U65Z5,RQ TK095U65Z5,RQ Fiche technique TOLL-9 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 50 nC 230 W 17 ns 4 ns
TK115U65Z5,RQ TK115U65Z5,RQ Fiche technique TOLL-9 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 42 nC 190 W 14 ns 3.7 ns
TK155U60Z1,RQ TK155U60Z1,RQ Fiche technique TOLL-9 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 24 nC 130 W 15 ns 5 ns
TK080U60Z1,RQ TK080U60Z1,RQ Fiche technique TOLL-9 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 43 nC 211 W 20 ns 4 ns
TK099U60Z1,RQ TK099U60Z1,RQ Fiche technique TOLL-9 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC 176 W 18 ns 4.6 ns
TK125U60Z1,RQ TK125U60Z1,RQ Fiche technique TOLL-9 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 28 nC 150 W 16 ns 5 ns
TK063N60Z1,S1F TK063N60Z1,S1F Fiche technique TO-247-3 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 56 nC 242 W 50 ns 5 ns
TK068N65Z5,S1F TK068N65Z5,S1F Fiche technique TO-247-3 650 V 37 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 68 nC 270 W 51 ns 3.5 ns
TK4R9E15Q5,S1X TK4R9E15Q5,S1X Fiche technique TO-220-3 150 V 120 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 96 nC 300 W 87 ns 77 ns
TK5R0A15Q5,S4X TK5R0A15Q5,S4X Fiche technique TO-220SIS-3 150 V 76 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 96 nC 53 W 62 ns 57 ns
Publié le: 2024-09-10 | Mis à jour le: 2025-08-02