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Toshiba Diodes Zener CSLZ

Les diodes Zener CSLZ de Toshiba sont logées dans un petit boîtier SL2. Les diodes disposent d'une dissipation d'énergie PD1 de 150 mW et PD2 de 400 mW. Les dispositifs Toshiba ont une température de jonction de TJ 150 °C et une température de stockage de TSTG -55 à 150 °C.

Caractéristiques

  • Dissipation de puissance
    • PD1 150 mW
    • PD2 400 mW
  • Température de jonction TJ 150 °C
  • Température de stockage TSTG -55 à 150 °C
  • Applications, protection contre les surtensions
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Numéro de pièce Fiche technique Vz - Tension Zener Zz - Impédance Zener Test du courant Ir - Courant de fuite inverse maximal
CSLZ24V,L3F CSLZ24V,L3F Fiche technique 24 V 70 Ohms 5 mA 500 nA
CSLZ12V,L3F CSLZ12V,L3F Fiche technique 12 V 30 Ohms 5 mA 500 nA
CSLZ10V,L3F CSLZ10V,L3F Fiche technique 10 V 30 Ohms 5 mA 500 nA
CSLZ20V,L3F CSLZ20V,L3F Fiche technique 20 V 50 Ohms 5 mA 500 nA
CSLZ30V,L3F CSLZ30V,L3F Fiche technique 30 V 150 Ohms 2 mA 500 nA
CSLZ8V2,L3F CSLZ8V2,L3F Fiche technique 8.2 V 30 Ohms 5 mA 500 nA
CSLZ5V6,L3F CSLZ5V6,L3F Fiche technique 5.6 V 30 Ohms 5 mA 1 uA
CSLZ16V,L3F CSLZ16V,L3F Fiche technique 16 V 35 Ohms 5 mA 500 nA
CSLZ6V2,L3F CSLZ6V2,L3F Fiche technique 6.2 V 30 Ohms 5 mA 2.5 uA
CSLZ6V8,L3F CSLZ6V8,L3F Fiche technique 6.8 V 30 Ohms 5 mA 500 nA
Publié le: 2022-11-08 | Mis à jour le: 2024-07-25