Texas Instruments Diode DES à faible capacité ESD501/ESD501-Q1

La diode DES à faible capacité ESD501/ESD501-Q1 de Texas Instruments est proposée dans un boîtier selon la norme industrielle 0402 (DFN1006) et fournit un niveau de protection CEI 61000-4-2 de 15 kV. Le dispositif peut verrouiller les surtensions de 8/20µs avec des courants de crête d'impulsion jusqu'à 3 A conformément à la norme CEI 61000-4-5.

La faible capacité et le faible courant de fuite contribuent à garantir la protection contre les événements transitoires dans divers systèmes et applications. Cette protection est essentielle pour de nombreuses applications, telles que les facteurs de forme plus petits et les vitesses de transmission de données plus rapides, qui gagnent en popularité au fil du temps. Les dispositifs ESD501-Q1 de Texas Instruments sont homologués AEC-Q100 pour les applications automobiles.

Caractéristiques

  • Protection DES selon la norme CEI 61000-4-2
    • Décharge de contact ±15 kV
    • Décharge d'entrefer ±15 kV
  • Protection contre les surtensions de 3 A (8/20 µs) selon la norme CEI 61000-4-5
  • Capacité E/S de 0,3 pF (std)
  • Courant de fuite ultra-faible de 1 nA (std)
  • Boîtier 0402 respectant les standards de l'industrie

Applications

  • Protection DES pour antenne automobile
  • Protection DES pour signal RF
  • Communications en champ proche (NFC)
  • SerDes automobile avec alimentation par câble coaxial
  • USB Type-C® (tolérance court-circuit vers Vbus)

Schéma fonctionnel

Schéma de principe - Texas Instruments Diode DES à faible capacité ESD501/ESD501-Q1
Publié le: 2025-03-11 | Mis à jour le: 2025-06-09