Texas Instruments Étage de puissance intelligent NexFET™ CSD95410
L'étage de puissance intelligent NexFET™ CSD95410 de Texas Instruments consiste en un système hautement optimisé pour une utilisation dans un convertisseur abaisseur synchrone haute puissance et haute densité. Ce produit intègre le circuit intégré de commande et les MOSFET de puissance pour compléter la fonction de commutation de l'étage de puissance. Cette combinaison génère une capacité de commutation à courant élevé, à haut rendement et à grande vitesse dans un petit boîtier de contour de 5 mm × 6 mm. Le CSD95410 de Texas Instruments intègre également une fonctionnalité précise de détection de courant et de température pour simplifier la conception du système et améliorer la précision. De plus, l'empreinte du PCB a été optimisée pour contribuer à réduire le temps de conception et faciliter la réalisation de la conception globale du système.
Caractéristiques
- Courant continu de crête 90 A
- Plus de 95 % d'efficacité du système à 30 A
- Fonctionnement haute fréquence (jusqu'à 1,75 MHz)
- Fonction d'émulation de diode
- Détection de courant bidirectionnelle compensée en température
- Sortie de température analogique
- Surveillance des défaillances
- Compatible avec le signal MLI 3,3 V et 5 V
- Entrée MLI à trois états
- Commutateur bootstrap intégré
- Temps mort optimisé pour une protection contre les courants traversants
- Empreinte QFN de 5 mm × 6 mm courante dans l'industrie à haute densité
- Boîtier à ultra-faible inductance
- Empreinte de circuit imprimé optimisée pour le système
- Refroidissement supérieur thermiquement amélioré
- Conforme à la directive RoHS avec placage de borne sans plomb
- Sans halogène
Applications
- Convertisseurs Buck synchrones multiphasés
- Applications à haute fréquence
- Applications à courant élevé et rapport cyclique faible
- Convertisseurs CC-CC au point de charge
- Cartes graphiques et mémoire
- Convertisseurs Buck synchrones VR12.x/VR13.x/VR14.x Vcore pour ordinateur de bureau et serveur
Application simplifiée
Publié le: 2024-01-02
| Mis à jour le: 2024-01-15