STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET
Der STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für den Automotive-Markt zu liefern. Dieses MOSFET wird mit der PowerMESH™-Technologie erstellt; das Bauteil kombiniert eine sehr hohe Drain-Source-Nennspannung von 1.500 V mit einer niedrigen elektrischen Gate-Ladung und einer robusten Avalanche-Funktion. Der STH4N150-2AG MOSFET ist im Automobilstandard, AEC-Q101-qualifiziert und in einem H2PAK-2-Gehäuse erhältlich. Dieses Bauteil eignet sich für Hochspannungs-, Automotive-, Hilfs- und Schaltapplikationen.
Merkmale
- Nach AEC-Q101 qualifiziert
- Sehr geringe elektrische Ladung am Gate von 1.500 V
- 100 % Avalanche-getestet
- Maximaler RDS(ON) von 10 Ω
- Drainstrom (ID) von 2,6 A
- Gate-Quellenspannung: ±30 V
- Sperrschichtbetriebs- und Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
Applikationen
- Schaltanforderungen
- Hilfsgeräte
Abmessungen
Veröffentlichungsdatum: 2026-07-31
| Aktualisiert: 2026-08-10