STMicroelectronics IGBT à commutation douce IHR 650 V STGWA50IH65R
Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) IHR à commutation douce 650 V STGWA50IH65R de STMicroelectronics utilise une structure d'arrêt de champ à grille en tranchée avancée et exclusive avec une diode de corps intégrée monolithique. Optimisé pour les pertes de conduction et de commutation, le STGWA50IH65R de STMicroelectronics permet une commutation douce. Cet IGBT encapsulé TO-247 à pattes longues maximise l'efficacité pour les applications résonnante et à commutation douce.
Caractéristiques
- IGBT série IHR à conduction inverse de 650 V, 50 A, à commutation douce, dans un boîtier TO-247 à pattes longues
- Conçu uniquement pour la commutation souple
- Température de jonction maximale de +175 °C
- Tension de saturation collecteur-émetteur standard de 1,45 V pour un courant collecteur continu de 50 A
- Courant résiduel minimisé
- Distribution étroite des paramètres
- Résistance thermique basse
- Diode intégrée monolithique avec faible chute de tension
- Coefficient de température positif de la tension de saturation collecteur-émetteur
- Conforme RoHS
Applications
- Plaques à induction
- Convertisseurs résonnants
- Fours micro-ondes
Caractéristiques techniques
- Tension collecteur-émetteur maximale de 650 V
- Courant collecteur continu maximal
- 97 A à +25 °C
- 61 A à +100 °C
- Courant de collecteur impulsionnel maximum de 200 A
- Tension grille-émetteur maximale de ±20 V
- Tension grille-émetteur transitoire maximale de ±30 V
- Courant direct continu maximum
- 86 A à +25 °C
- 52 A à +100 °C
- Courant direct pulsé maximum de 200 A
- Dissipation d'énergie totale maximale de 306 W
- Caractéristiques statiques
- Tension de rupture collecteur-émetteur minimale de 650 V
- Tension de saturation collecteur-émetteur maximale de 1,75 V
- Tension directe maximale de 1,75 V
- Plage de tension de seuil de grille de 4,5 V à 6,5 V
- Courant de coupure maximale du collecteur de 25 µA
- Courant de fuite grille-émetteur maximum de ±250 nA
- Caractéristiques dynamiques standard
- Capacité d'entrée de 2 949 pF
- Capacité de sortie de 102 pF
- Capacité de transfert inverse de 80 pF
- Charge de grille totale de 154 nC
- Charge grille-émetteur de 23 nC
- Charge porte-collecteur de 77 nC
- Caractéristiques de commutation IGBT standard
- Charge inductive
- Plage de temps de retard d’extinction de 177 ns à 208 ns
- Plage de temps de descente du courant de 38 ns à 75 ns
- Plage d’énergie de commutation d’extinction de 736 μJ à 1070 μJ
- Énergie de commutation de 474 μJ à 236 μJ d’extinction pour une charge inductive amortie
- Charge inductive
- Plage de température de fonctionnement de jonction de -55 °C à +175 °C
- Résistance thermique
- Jonction-boîtier (IGBT) : 0,49 °C/W
- Jonction-boîtier (diode) : 0,7 °C/W
- Jonction-environnement (diode) : 50 °C/W
Schéma
Complétez votre conception
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Publié le: 2026-05-08
| Mis à jour le: 2026-05-12