STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT350R70GTK
Le transistor E-Mode PowerGaN SGT350R70GTK de STMicroelectronics est un transistor PowerGaN haute performance en mode d’amélioration, optimisé pour une conversion d’énergie efficace dans des applications exigeantes. Avec une tension nominale drain-source de 700 V et une résistance en état de fonctionnement maximale de 350 mΩ, le dispositif SGT350R70GTK de STMicroelectronics offre de faibles pertes de conduction et des capacités de commutation rapides grâce à la technologie à base de nitrure de gallium (GaN). Conditionné dans un format DPAK thermiquement amélioré, le dispositif prend en charge une gestion de courant élevé et une dissipation thermique améliorée, adapté aux conceptions d’alimentation haute densité. Une faible capacité de sortie et decharge de grille permet une exploitation à haute fréquence, idéale pour une utilisation dans une correction du facteur de puissance (PFC), des convertisseurs résonnants et d’autres topologies d’alimentation avancées dans les secteurs industriels, des télécommunications et des consommateurs électroniques.
Caractéristiques
- Transistor à mode d’amélioration normalement désactivé
- Retard de commutation très élevé
- Capacité de gestion de l'alimentation élevée
- Capacités extrêmement faibles
- Charge de récupération inverse nulle
- Protection DES
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- Électronique grand public
- Systèmes industriels
- Centres de données
- Adaptateurs pour tablettes, ordinateurs portables et AIO
- Adaptateurs USB Type-C® PD et chargeurs rapides
- Convertisseurs résonnants
- Étages de correction du facteur de puissance (PFC)
Caractéristiques techniques
- Tension maximale drain-source de 700 V
- Tension transitoire maximale drain-source de 800 V à tp <>
- Tension maximale grille-source de -1,4 V à 7 V
- Courant de drain continu maximum de 6 A à +25 °C
- Courant de drain d’impulsion maximum de 10 A à tp = 10 μs
- Dissipation d’énergie totale maximale de 47 W à +25 °C
- Tension de conduction inverse source-drain standard de 2,6 V
- Commutation
- Délai de passage à la fermeture typique de 0,9 ns
- Temps de montée typique de 3,5 ns
- Délai de passage à l’ouverture typique de 1,2 ns
- Temps de descente typique de 6,1 ns
- Statique
- Courant de fuite drain-source maximum de 12 μA
- Courant de fuite grille-source standard de 30 μA
- Plage de tension de seuil de grille de 1,2 V à 2,5 V
- Résistance statique drain-source maximale de 350 mΩ
- Protection DES par modèle de corps humain (HBM) de 2 kV
- Plage de température de jonction de fonctionnement de -55 °C à +150 °C
- Dynamique
- Capacité d’entrée standard de 50 pF
- Capacité de sortie standard de 15 pF
- Capacité de transfert inverse standard de 0,2 pF
- Capacité de sortie équivalente standard de 20 pF, liée à l’énergie
- Capacité de sortie équivalente standard de 28 pF, liée au temps
- Résistance de grille intrinsèque standard de 11 Ω
- Tension de plateau de grille standard de 2,2 V
- Charge de grille totale standard de 1,5 nC
- Charge grille-source standard de 0,15 nC
- Charge grille-drain standard de 0,5 nC
- Charge de récupération inverse standard de 0 nC
- Charge de sortie standard de 13 nC
- Résistance thermique
- Jonction à boîtier de 23 °C/W
- Jonction à la température ambiante de 56 °C/W
Schéma
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STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Publié le: 2025-10-20
| Mis à jour le: 2025-10-28