STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO

Le transistor E-Mode PowerGaN SGT070R70HTO de STMicroelectronics est un transistor haute performance en mode d’amélioration conçu pour des applications exigeantes de conversion d’énergie. Basé sur la technologie au nitrure de gallium (GaN), le SGT070R70HTO de STMicro offre des performances de commutation supérieures avec une faible résistance à l’état passant de 70 mΩ et une charge de grille minimale, permettant une haute efficacité et des pertes réduites dans les opérations à haute fréquence. Avec une tension nominale drain-source de 700 V, le transistor est idéal pour des applications telles que les alimentations électriques, les entraînements à moteur et les systèmes d’énergie renouvelable. Le dispositif présente des performances thermiques robustes et est logé dans un boîtier SONNER compact, ce qui le rend adapté aux conceptions où l'espace et la gestion de la chaleur sont essentiels. La capacité de commutation rapide et la faible capacité d'entrée contribuent à améliorer l'efficacité du système et la densité de puissance, positionnant le SGT070R70HTO comme un choix solide pour l'électronique de puissance de nouvelle génération.