STMicroelectronics Transistors E-Mode G-HEMT™ PowerGaN
Les transistors E-Mode G-HEMT™ PowerGaN de STMicroelectronics sont des dispositifs au nitrure de gallium (GaN) hauteperformance, à enrichissement (normalement désactivés) conçus pour fournir une commutation exceptionnellement rapide, de faibles pertes par conduction et une densité de puissance élevée pour les applications de conversion de puissance exigeantes. Ces transistors tirent parti des avantages de la large bande interdite du nitrure de gallium pour atteindre des capacités extrêmement faibles, une charge de grille minimale et une charge de recouvrement inverse nulle, offrant ainsi une efficacité supérieure par rapport aux commutateurs de puissance en silicium traditionnels.
Les transistors E-Mode G-HEMT™ PowerGaN de STMicroelectronics associent des structures G‑HEMT avancées à des technologies de boîtier robustes pour supporter une capacité de courant élevé et un comportement de commutation ultra‑rapide, favorisant ainsi des performances thermiques améliorées et des conceptions de systèmes compactes. Les principales caractéristiques comprennent des plots de connexion Kelvin (Kelvin-source) pour une commande de grille optimisée, une gestion de puissance élevée et une grande robustesse face aux DES. Ces propriétés rendent ces transistors parfaitement adaptés aux convertisseurs CA‑CC et CC‑CC, aux onduleurs solaires, aux alimentations électriques industrielles, ainsi qu'à d'autres systèmes à haute fréquence et à haut rendement. Dans l'ensemble, la gamme E‑mode PowerGaN de ST offre aux concepteurs une plateforme puissante pour développer des systèmes d'électronique de puissance de nouvelle génération plus efficaces, plus compacts et plus performants.
Caractéristiques
- Transistor à mode d'amélioration normalement désactivé et à montage en surface
- Retard de commutation très élevé
- Capacité de gestion de l'alimentation élevée
- Capacités extrêmement faibles
- Charge de récupération inverse nulle
- Configuration monocanal
- Plaquette de source Kelvin pour un pilotage de grille optimal (styles de boîtier sélectionnables)
- Protection DES
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- Convertisseurs CA-CC
- Convertisseurs CC-CC
- Convertisseurs solaires
- Adaptateurs pour tablettes, ultraportables et AIO
- Chargeurs rapides et adaptateurs PD USB Type-C®
Caractéristiques techniques
- Options de tension de seuil grille-source de 1,8 V ou 2,5 V
- Options de tension de rupture drain-source de 650 V ou 700 V
- Plage de courant de drain continu de 6 A à 29 A
- Plage de résistance drain-source de 65 mΩ à 350mΩ
- Plage de dissipation d'énergie de 47 W à 305 W
- Plage de charge de grille de 1,5 nC à 8,5 nC
- Plage du temps de montée de 3,5 ns à 9 ns
- Plage du temps de descente de 4 ns à 9 ns
- Plage du délai de passage à l'ouverture typique de 1,2 ns à 7 ns
- Plage du délai de passage à la fermeture typique de 0,9 ns à 10 ns
- Plage de température de fonctionnement de -55 °C à +150 °C
- Options de boîtier DPAK-3, PowerFLAT-4, PowerFLAT-8 et TO-LL-11
Transistors présentés
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
Construit sur la technologie GaN et conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT350R70GTK
Le transistor E-Mode PowerGaN optimisé pour une conversion d’énergie efficace dans des applications exigeantes.
STMicroelectronics Transistors PowerGaN en mode E SGT65R65AL
Transistors 650 V, 25 A combinés à une technologie de boîtier bien établie.
Complétez votre conception
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
| Numéro de pièce | Fiche technique | Id - Courant continu de fuite | Pd - Dissipation d’énergie | Qg - Charge de grille | Rds On - Résistance drain-source |
|---|---|---|---|---|---|
| SGT190R70ILB |  |
11.5 A | 83 W | 2.8 nC | 190 mOhms |
| SGT140R70ILB | |
17 A | 113 W | 3.5 nC | 140 mOhms |
| SGT240R70ILB | |
10 A | 76 W | 2 nC | 240 mOhms |
| SGT105R70ILB | |
21.7 A | 158 W | 4.8 nC | 105 mOhms |
| SGT070R70HTO | |
26 A | 231 W | 8.5 nC | 70 mOhms |
| SGT080R70ILB | |
29 A | 188 W | 6.2 nC | 80 mOhms |
| SGT350R70GTK | |
6 A | 47 W | 1.5 nC | 350 mOhms |
| SGT65R65AL | |
25 A | 305 W | 5.4 nC | 65 mOhms |