STMicroelectronics Tableau de démonstration EVSTGAP2GS

Le tableau de démonstration EVSTGAP2GS de STMicroelectronics est conçu pour évaluer la commande de grille simple isolée STGAP2GS. Le STGAP2GS comprend une capacité de source de 2 A/dissipation de 3 A et des sorties rail-à-rail. Ces caractéristiques rendent ce composant idéal pour les applications d’onduleurs de moyenne et haute puissance. Le dispositif optimise indépendamment l’allumage et l’arrêt en utilisant des résistances de grille dédiées.

Le tableau EVSTGAP2GS de STMicro permet d’évaluer toutes les options STGAP2GS commandant les transistors GaN e-Mode SGT120R65AL 75 mΩ, 650 V. Les composants du tableau sont faciles à accéder et à modifier, ce qui facilite l’évaluation des performances de la commande dans différentes conditions d’application et le réglage fin des composants finaux.

Caractéristiques

  • Composant
    • Rail haute tension jusqu'à 1200 V
    • Capacité de courant d’entraînement VH = 6 V à + 25 °C, dissipateur/source 2 A/3 A
    • Dissipation et source séparées pour une configuration facile de la commande de grille
    • Retard de propagation entrée-sortie de 45 ns
    • Fonction UVLO optimisée pour le GaN
    • Tension de modulation de grille jusqu’à 15 V
    • Entrées 5 V TTL/CMOS, 3,3 V avec hystérésis
    • Protection contre les coupures thermiques
  • Tableau
    • Configuration demi-pont, rail haute tension jusqu’à 650 V
    • SGT120R65AL avec 650 V, 75 mΩ std, 15 A, transistor PowerGaN e-mode
    • Commande négative de grille
    • Convertisseurs CC-CC isolés embarqués pour alimenter des commandes de grille côté haut et côté bas, alimentés par VAUX = 5 V, avec une isolation maximale de 5,2 kV
    • Logique VDD fournie par 3,3 V embarqué ou VAUX = 5 V
    • Sélection facile des cavaliers + 6 V/0 V ; + 6 V/- 3 V pour la configuration de la tension de modulation

Haut du placement des composants

Circuit de localisation - STMicroelectronics Tableau de démonstration EVSTGAP2GS
Publié le: 2023-06-20 | Mis à jour le: 2023-06-26