STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh M9 STP65N045M9
Le MOSFET de puissance MDmesh M9 STP65N045M9 de STMicroelectronics est conçu pour les MOSFET moyenne/haute tension disposant d'une RDS(on) très faible par surface. Le composant met en œuvre une technologie MDmesh M9 à super-jonction innovante offrant un processus de fabrication à drain multiple qui permet une structure de dispositif améliorée.
Le MOSFET de puissance MDmesh M9 STP65N045M9 de STM dispose d'une faible résistance à l'état passant et de valeurs de charge de grille réduites. Ces caractéristiques rendent le STP65N045M9 particulièrement adapté aux applications qui nécessitent une densité de puissance supérieure et un rendement exceptionnel.
Caractéristiques
- Excellent RDS(on) par zone parmi les dispositifs à base de silicium
- VDSS nominal plus élevé
- Capacité supérieure de dv/dt
- Excellentes performances de commutation
- Facile à piloter
- Testé à 100 % en mode avalanche
Application standard
Produits associés
STMicroelectronics MOSFET de puissance M9 MDmesh™
Intègrent une structure de dispositif améliorée, une faible résistance à l'état passant et de faibles valeurs de charge de grille.
COMPLÉTEZ VOTRE CONCEPTION
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Publié le: 2022-05-18
| Mis à jour le: 2023-02-13